[發明專利]包括鄰近晶體管的集成結構

有效

• 申請號: 201810167308.3
• 申請日: 2015-03-20
• 公開（公告）號: CN108281384B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: M·巴蒂斯塔;F·塔耶特
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/11;H01L29/49;H01L29/51;G11C11/412;G11C11/418;G11C14/00;G11C16/04;G11C16/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底之上形成第一柵極電介質；

在所述第一柵極電介質之上形成柵極材料的第一層；

通過蝕刻所述第一層以便在所述第一層中形成在兩個端部之間在第一方向上延伸的槽，從而形成第一柵極區域和第二柵極區域；

在蝕刻的所述第一層之上以及在所述槽的側壁之上形成第二柵極電介質；

在所述第二柵極電介質之上形成所述柵極材料的第二層；

通過圖案化所述柵極材料的所述第二層、所述第二柵極電介質、所述柵極材料的所述第一層和所述第一柵極電介質，形成沿第二方向延伸的連續元件，所述第二方向基本正交于所述第一方向；以及

形成用于接觸所述第一柵極區域、所述第二柵極區域和所述連續元件的導電接觸焊盤。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一柵極區域形成第一MOS晶體管的可控柵極，并且所述第二柵極區域形成第二MOS晶體管的可控柵極，所述可控柵極覆蓋所述第一柵極電介質。

3.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述柵極材料的第二層包括形成從所述連續元件朝向所述襯底向下延伸直到所述第一柵極電介質的分支，其中所述分支被定位在所述第一柵極區域和所述第二柵極區域之間并且與所述第一柵極區域和所述第二柵極區域間隔開。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻所述連續元件的端部部分和所述第二柵極電介質的下部部分，以便露出所述第一柵極區域和所述第二柵極區域中的每個區域的部分，其中所述導電接觸焊盤形成在所述第一柵極區域和所述第二柵極區域的露出的部分上。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述導電接觸焊盤包括形成接觸所述第一柵極區域的外表面的一部分的第一過孔、接觸所述第二柵極區域的外表面的一部分的第二過孔以及接觸所述連續元件的外表面的一部分的第三過孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第三過孔與所述第一過孔和所述第二過孔基本等距間隔開。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成第一源極區域和第一漏極區域，所述第一源極區域和所述第一漏極區域形成在所述第一柵極區域的相對側上；以及

形成第二源極區域和第二漏極區域，所述第二源極區域和所述第二漏極區域形成在所述第二柵極區域的相對側上。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

形成到所述第一源極區域的第一源極接觸以及到所述第一漏極區域的第一漏極接觸；以及

形成到所述第二源極區域的第二源極接觸以及到所述第二漏極區域的第二漏極接觸。