[發(fā)明專(zhuān)利]霍爾器件及其制備方法與電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810167248.5
• 申請(qǐng)日: 2018-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108269913A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃天迅;林曉陽(yáng);羅梟;趙巍勝;冷群文;溫良恭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)青島研究院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L43/04
• 分類(lèi)號(hào): H01L43/04;H01L43/06;H01L43/10
• 代理公司: 北京太合九思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11610
• 代理人: 劉戈

1.一種霍爾器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括形成于所述襯底表面的石墨烯層和形成于所述石墨烯層上的氟化石墨烯層；以及，

位于所述有源區(qū)外圍，并與所述有源區(qū)接觸的金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾器件，其特征在于，

所述氟化石墨烯層為單層氟化石墨烯薄膜；

所述石墨烯層為單層或多層石墨烯薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾器件，其特征在于，還包括：形成于所述石墨烯層上表面邊緣處并與所述氟化石墨烯層邊沿接觸的邊石墨烯層；所述金屬電極覆蓋在所述邊石墨烯層上并與所述石墨烯層邊沿接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾器件，其特征在于，所述金屬電極與所述石墨烯層裸露在外的邊沿接觸，且所述金屬電極部分覆蓋于所述氟化石墨烯層的邊沿及其上表面邊緣處。

5.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的霍爾器件。

6.一種霍爾器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備至少兩層結(jié)構(gòu)的石墨烯薄膜；

通過(guò)光刻制備金屬電極圖形；沉積金屬電極材料；通過(guò)剝離的方式形成圖形化的金屬電極，所述金屬電極位于所述石墨烯薄膜的外圍并與所述石墨烯薄膜接觸；

對(duì)所述石墨烯薄膜的表層進(jìn)行氟化處理得到氟化石墨烯層，所述氟化石墨烯層以及位于所述氟化石墨烯層下方的石墨烯層構(gòu)成所述霍爾器件的有源區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在通過(guò)光刻制備金屬電極圖形之前，還包括：對(duì)所述石墨烯薄膜進(jìn)行圖形化刻蝕形成十字形結(jié)構(gòu)的石墨烯薄膜。

8.一種霍爾器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備至少兩層結(jié)構(gòu)的石墨烯薄膜；

對(duì)所述石墨烯薄膜的表層進(jìn)行氟化處理得到氟化石墨烯層，所述氟化石墨烯層以及位于所述氟化石墨烯層下方的石墨烯層構(gòu)成所述霍爾器件的有源區(qū)；

通過(guò)光刻制備金屬電極圖形；沉積金屬電極材料；通過(guò)剝離的方式形成圖形化的金屬電極，所述金屬電極位于所述有源區(qū)外圍并與所述有源區(qū)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)所述石墨烯薄膜的表層進(jìn)行氟化處理之前，還包括：對(duì)所述石墨烯薄膜進(jìn)行圖形化刻蝕形成十字形結(jié)構(gòu)的石墨烯薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在通過(guò)光刻制備金屬電極圖形之前，還包括：對(duì)所述有源區(qū)進(jìn)行圖形化刻蝕形成十字形結(jié)構(gòu)的有源區(qū)。