[發明專利]處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法有效
| 申請號: | 201810167202.3 | 申請日: | 2018-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN108630571B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發明(設計)人: | 井上正史 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 供給 裝置 以及 方法 | ||
1.一種處理液供給裝置,用于向多個處理部供給處理液,各所述處理部具有多個用于處理基板的處理單元,所述處理液供給裝置具有:
處理液槽,用于貯存處理液;
多個循環配管,分別與所述多個處理部對應設置,并分別使所述處理液槽內的處理液循環;
多個供給配管,分支連接到各所述循環配管,并向對應的所述處理部中的多個所述處理單元分別供給處理液;
流量檢測單元,安裝于各所述循環配管上,并檢測在該循環配管內流經的處理液的流量;
流量調節閥,安裝于各所述循環配管上,并調節該循環配管內的處理液的流量;
開度調節單元,基于由安裝于各所述循環配管上的所述流量檢測單元檢測出的處理液的檢測流量,調節對應的所述流量調節閥的開度,
所述開度調節單元調節各所述流量調節閥的開度,使得多個所述循環配管之間的所述檢測流量的差降低。
2.根據權利要求1所述的處理液供給裝置,其中,
所述流量檢測單元在對應的所述循環配管的比所述供給配管的分支位置更靠上游側的位置安裝于該循環配管上。
3.根據權利要求1所述的處理液供給裝置,其中,
所述流量調節閥在對應的所述循環配管的比所述供給配管的分支位置更靠下游側的位置安裝于該循環配管上。
4.一種基板處理裝置,具有:
如權利要求1所述的處理液供給裝置;
多個所述處理部,用于處理基板。
5.一種處理液供給方法,用于向多個處理部供給處理液,各所述處理部具有多個用于處理基板的處理單元,所述處理液供給方法包括:
循環工序,由分別與所述多個處理部對應設置的多個循環配管,分別使處理液槽內的處理液循環,所述處理液槽用于貯存處理液;
供給工序,從分支連接到各所述循環配管的多個供給配管,向對應的所述處理部中的多個所述處理單元分別供給處理液;
流量檢測工序,檢測在所述循環工序中流經各所述循環配管的處理液的流量;以及
開度調節工序,基于在所述流量檢測工序中檢測出的各所述循環配管內的處理液的檢測流量,調節在各所述循環配管上安裝的流量調節閥的開度,使得各所述循環配管間的處理液的流量之差降低,
所述開度調節工序包括調節各所述流量調節閥的開度以使得多個所述循環配管之間的所述檢測流量的差降低的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





