[發明專利]選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法

在審

• 申請號: 201810167076.1
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108470781A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 陳麗萍
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;C30B33/10;C30B31/06;C25D7/12;C25D5/50;C25D5/12;C23F17/00;C23C16/513;C23C16/40;C23C16/34
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）在硅片正面和背面采用金屬催化化學腐蝕法制備黑硅絨面，制絨減薄量為0.35-0.45g，制絨后硅片表面反射率20-21%；

（2）擴散：對硅片進行高溫磷擴散形成PN結，擴散后表面方塊電阻為100-150Ω/□，擴散溫度800-850℃，擴散時間70-120分鐘；

（3）去除擴散后硅片正面磷硅玻璃和背面及邊緣的PN結；

（4）鍍膜：在硅片的背面沉積氧化鋁/氮化硅疊層鈍化薄膜，在硅片的正面沉積氮化硅減反射膜層；硅片背面氧化鋁/氮化硅疊層鈍化薄膜中氧化鋁的厚度為10-20nm，氮化硅的厚度為120-150nm，硅片正面氮化硅減反射膜層的厚度為75-85nm，平均折射率2.04-2.14；

（5）使用激光器在硅片背面打線，使背面的氧化鋁/氮化硅疊層鈍化薄膜從硅片背面剝離，得到打線槽；

（6）在硅片正面噴涂或者甩涂磷酸溶液；

（7）激光摻雜：采用激光對硅片正面進行激光摻雜得到主柵線和副柵線圖形區域，在硅片背面進行激光開窗；

（8）將硅片與外置電源的陰極連接，在打線槽中沉積鎳/銅/銀金屬，硅片的正面和背面同時電鍍，電鍍后正面柵線寬度30-35μm，高度13-15μm，背面柵線寬度50-65μm，高度25-32μm；

（9）退火。

2.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述步驟（1）中黑硅絨面孔徑500-700nm。

3.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述步驟（4）中，先對硅片正面鍍膜再對硅片背面鍍膜，或者先對硅片背面鍍膜再對硅片正面鍍膜。

4.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述步驟（5）中打線槽的寬度為20-40μm，間距為0.5-2mm。

5.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述步驟（7）中使用波長355nm或532nm的激光對硅片正面進行加熱，得到激光摻雜的主柵線和副柵線圖形區域；激光摻雜的副柵線線寬為8-15μm，線間距0.7-1.0mm；主柵線垂直于副柵線，單條主柵線由多條細柵線重疊組成，單條主柵的寬度為1.0-1.5mm。

6.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述退火溫度為350-450℃，退火時間1-3分鐘。

7.如權利要求1所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述硅片為p型硅片。

8.如權利要求7所述的選擇性發射極黑硅雙面PERC晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述p型硅片為金剛線切割的多晶硅片，電阻率為1-3Ω?cm，硅片厚度200±20μm。