[發明專利]GaN芯片的燒結方法及待燒結的GaN芯片在審
| 申請號： | 201810166863.4 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN108389804A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 王川寶;李亮;王強棟;馬杰;付興中;崔玉興 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 陸林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 表面生長 金屬層 半導體技術領域 簡化工藝步驟 第一金屬層 工藝成本 降低器件 燒結工藝 燒結過程 燒結區域 生產效率 合金層 熱阻 背面 空洞 金屬 生長 | ||
1.一種GaN芯片的燒結方法，其特征在于，包括：
在GaN芯片的背面生長第一金屬；
在所述第一金屬層的表面生長Au金屬層；
在所述Au金屬層與待燒結區域對應的區域的表面生長Au/Sn合金層；
通過Au/Sn燒結工藝對生長Au/Sn合金層后的GaN芯片進行燒結。
2.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述在GaN芯片的背面生長第一金屬之前，所述方法還包括：
將所述GaN芯片鍵合在載體上，其中，所述GaN芯片的正面與所述載體接觸。
3.如權利要求2所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述通過Au/Sn燒結工藝對生長Au/Sn合金層后的GaN芯片進行燒結，包括：
將所述GaN芯片與所述載體分離并進行切割；
使用自動燒結臺將切割后的所述GaN芯片燒結在熱沉載體上，其中，燒結溫度為315℃至325℃。
4.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述在GaN芯片的背面生長第一金屬，包括：
通過濺射工藝在所述GaN芯片的背面濺射第一金屬層。
5.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層的表面生長Au金屬層，包括:
通過電鍍工藝在所述第一金屬層的表面電鍍Au金屬層。
6.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述在所述Au金屬層的表面與待燒結區域對應的區域生長Au/Sn合金層，包括：
通過光刻工藝在所述Au金屬層的表面與第一區域對應的區域覆蓋光刻膠層，其中，所述第一區域為除所述燒結區域以外的區域；
通過電鍍工藝在覆蓋光刻膠層后的所述Au金屬層的表面電鍍Au/Sn合金層；
去除所述光刻膠層。
7.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述第一金屬層為Ti/Au層、TiW/Au層或Ti/Ni/Au層。
8.如權利要求1所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為400納米至600納米；所述Au金屬層的厚度為3微米至5微米；所述Au/Sn合金層的厚度為3微米至7微米。
9.如權利要求1至8任一項所述的GaN芯片的燒結方法，其特征在于，所述Au/Sn合金層中Au的質量分數為70％至80％。
10.一種待燒結的GaN芯片，包括GaN芯片，其特征在于，所述GaN芯片的背面覆蓋第一金屬層；所述第一金屬層的表面覆蓋Au金屬層，所述Au金屬層與燒結區域對應的區域的表面覆蓋Au/Sn合金層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
