[發明專利]一種低C、H、O、N元素含量的鋁鉻合金及其制備方法

有效

• 申請號: 201810166843.7
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108179340B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 田曙明;郭金亮;李東;葉慶亮;李志勝;李志德;薛麗英;林劭華
• 申請（專利權）人: 商洛天野高新材料有限公司
• 主分類號: C22C27/06
• 分類號: C22C27/06;C22C1/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種低C、H、O、N元素含量的鋁鉻合金的制備方法，包括如下步驟：

(1)將鋁鉻混合物進行感應加熱脫氣，得到脫氣鋁鉻混合物；

所述感應加熱脫氣包括如下步驟：在絕對壓力為400～600Pa的惰性氣體氛圍中，將鋁鉻混合物感應加熱至200～400℃，然后停止感應加熱，抽真空至絕對壓力≤30Pa；

(2)在第一惰性氣體氛圍中，采用感應加熱的方式將脫氣鋁鉻混合物熔化，得到熔體；

(3)維持第一惰性氣體氛圍，采用感應加熱的方式對所述熔體進行精煉，然后脫氣，得到合金液；

所述精煉的溫度為1670～1750℃，所述精煉的時間為4～10min；所述脫氣包括如下步驟：停止感應加熱，抽真空至絕對壓力≤30Pa；

(4)在第二惰性氣體氛圍中，將所述合金液澆鑄，得到低C、H、O、N元素含量的鋁鉻合金；

所述第一惰性氣體氛圍和第二惰性氣體氛圍的絕對壓力獨立的為400～600Pa；

所述低C、H、O、N元素含量的鋁鉻合金由如下質量含量的組分組成：鉻70～75wt.％，碳≤0.03wt.％，氧≤0.02wt.％，氮≤0.01wt.％，氫≤0.01wt.％，鐵≤0.15wt.％，硅≤0.11wt.％，其他單個雜質獨立地≤0.05wt.％，且其他單個雜質的總含量≤0.15wt.％，余量為鋁。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鋁鉻混合物由純度≥99.5％的鉻和純度≥99.85％的鋁混合而成。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，盛放所述鋁鉻混合物的容器為氧化鋁坩堝，所述氧化鋁坩堝的純度≥99.2％。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述澆鑄的溫度為1670～1750℃。

5.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述澆鑄后，還包括冷卻，所述冷卻為真空水冷，所述真空水冷的水壓為0.05～0.1MPa。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述澆鑄用錠模為水冷銅錠模。

7.一種低C、H、O、N元素含量的鋁鉻合金，由權利要求1～6任一項所述的制備方法制備得到，由如下質量含量的組分組成：鉻70～75wt.％，碳≤0.03wt.％，氧≤0.02wt.％，氮≤0.01wt.％，氫≤0.01wt.％，鐵≤0.15wt.％，硅≤0.11wt.％，其他單個雜質獨立地≤0.05wt.％，且其他單個雜質的總含量≤0.15wt.％，余量為鋁。