[發明專利]應用于多晶黑硅太陽能電池的低壓擴散工藝

有效

• 申請號: 201810166588.6
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108321255B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 陳麗萍
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種應用于多晶黑硅太陽能電池的低壓擴散工藝，其特征是，包括以下步驟：

（1）硅片進管：管內溫度700-750℃，氮氣流量1000-3000sccm；

（2）恒溫：溫度780-800℃，氮氣流量1000-3000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間10-20分鐘；

（3）低溫氧化，在硅片表面生成一層薄的氧化層，使后續磷源沉積更均勻；所述低溫氧化溫度為780-800℃，氮氣流量1000-3000sccm，爐內壓強50-150mbar，干氧氣為200-1000sccm，時間2-5分鐘；

（4）低溫淀積，在硅片表面均勻沉積磷源；所述低溫淀積的溫度為780-800℃，氮氣流量1000-3000sccm，攜源氮氣為200-400sccm，干氧氣為200-1000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間5-20分鐘；

（5）高溫推進，使磷源向硅片體內擴散；所述高溫推進的溫度為820-850℃，氮氣流量為1000-3000sccm，干氧氣為0-1000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間10-20分鐘；

（6）二次擴散，增加硅片表面摻雜濃度，降低漿料與硅片的歐姆接觸電阻；所述二次擴散的溫度為800-850℃，氮氣流量為1000-3000sccm，攜源氮氣為200-400sccm，干氧氣為200-1000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間2-10分鐘；

（7）降溫：溫度600-750℃，氮氣流量為1000-3000sccm，干氧氣為0-1000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間10-30分鐘；

（8）充氮，使管內壓力達到大氣壓，以便爐門開啟；所述充氮步驟的溫度為600-750℃，氮氣流量為1000-3000sccm，壓強為常壓；

（9）出管：管內溫度700-750℃，氮氣流量為1000-3000sccm，壓強為常壓；

在所述步驟（5）高溫推進和步驟（6）二次擴散之間還包括降溫步驟以降低二次擴散磷源沉積量：溫度800-820℃，大氮流量1000-3000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間5-10分鐘；

在所述步驟（6）二次擴散和步驟（7）降溫步驟之間還包括恒溫推進步驟：溫度800-850℃，大氮流量1000-3000sccm，干氧0-1000sccm，爐內壓強50-150mbar，時間2-10分鐘；

所述硅片為多晶金剛線切割濕法黑硅，具有納米絨面，硅片電阻率1-3Ω?cm，硅片厚度180-220μm。