[發明專利]一種基于NorFlash芯片的數據擦寫方法及系統有效
| 申請號: | 201810166301.X | 申請日: | 2018-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN108280029B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 候志立 | 申請(專利權)人: | 鄭州云海信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 norflash 芯片 數據 擦寫 方法 系統 | ||
1.一種基于NorFlash芯片的數據擦寫方法,其特征在于,包括:
當檢測到需要向目標物理子扇區寫入的待寫入數據時,查詢所述目標物理子扇區的第一擦寫情況,并計算所有物理子扇區的第二擦寫情況;其中,所述第一擦寫情況包括所述目標物理子扇區的邏輯寫入次數和實際寫入次數,所述第二擦寫情況包括所有所述物理子扇區的邏輯寫入次數的平均值和實際寫入次數的平均值、均方根誤差、最大值和最小值;
基于數理統計根據所述第一擦寫情況和所述第二擦寫情況判斷所述目標物理子扇區是否符合預設條件;
若是,則將所述待寫入數據寫入所述目標物理子扇區;
若否,則將所有所述物理子扇區中實際寫入次數最少的物理子扇區設置為最佳物理子扇區,并將所述待寫入數據寫入所述最佳物理子扇區。
2.根據權利要求1所述數據擦寫方法,其特征在于,基于數理統計根據所述第一擦寫情況和所述第二擦寫情況判斷所述目標物理子扇區是否符合預設條件包括:
判斷SquareError是否大于誤差限制且所述SquareError與EraseMAX和/或EraseMIN之間的差值大于最大允許不均勻度,得到第一判斷結果;其中,所述SquareError、所述EraseMAX和所述EraseMIN分別為所有所述物理子扇區的實際寫入次數的均方根誤差、最大值和最小值;
判斷EraseTimes是否等于所述EraseMAX,得到第二判斷結果;其中,所述EraseTimes為所述目標物理子扇區的實際寫入次數;
判斷是否所述EraseTimes大于EraseAVR且LogicTimes大于LogicAVril,得到第三判斷結果;其中,所述EraseAVR和LogicAVril分別為所有所述物理子扇區的實際寫入次數的平均值和邏輯寫入次數的平均值,LogicTimes為所述目標物理子扇區的邏輯寫入次數;
根據所述第一判斷結果、所述第二判斷結果和所述第三判斷結果判斷所述目標物理子扇區是否符合預設條件;其中,所述預設條件為所述第一判斷結果、所述第二判斷結果和所述第三判斷結果均不為是。
3.根據權利要求1所述數據擦寫方法,其特征在于,在查詢所述目標物理子扇區的第一擦寫情況,并計算所有物理子扇區的第二擦寫情況之前,還包括:
按照預設規則對所述NorFlash芯片進行分區操作;其中,分區后的NorFlash芯片包括用于寫入數據的DATA扇區和用于管理所述DATA扇區的MANAGE扇區,所述DATA扇區包括邏輯子扇區與所述物理子扇區;所述MANAGE扇區包括用于統計所述DATA扇區的邏輯寫入次數的LOGIC_STATIS子扇區、用于統計所述DATA扇區實際寫入次數的REAL_ERASE_STATIS子扇區和用于存儲所述邏輯子扇區與所述物理子扇區之間的映射關系的SECTOR_MAP子扇區。
4.根據權利要求3所述數據擦寫方法,其特征在于,在查詢所述目標物理子扇區的第一擦寫情況,并計算所有物理子扇區的第二擦寫情況之前,還包括:
判斷所述NorFlash芯片是否為第一次使用;
若是,則對所述MANAGE扇區執行初始化操作。
5.根據權利要求4所述數據擦寫方法,其特征在于,對所述MANAGE扇區執行初始化操作包括:
將所述LOGIC_STATIS子扇區中記錄的邏輯寫入次數初始化為0;
將所述REAL_ERASE_STATIS子扇區中記錄的實際寫入次數初始化為0;
更新所述SECTOR_MAP子扇區中記錄的映射關系,以使所述DATA扇區的每個子扇區的邏輯編號與物理編號一一對應。
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