[發明專利]一種含雙層介電層的有機薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201810166052.4
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108417713A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 孟鴻;魏瀟赟;李愛源;曹菊鵬;朱淼
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，從下至上依次包括：柵極襯底、第一介電層、第二介電層、有機半導體層和電極；

所述第一介電層的材料為無機介電材料或者介電常數大于5的聚合物材料；

所述第二介電層的材料為含氟聚酰亞胺；

所述有機半導體層和所述第二介電層均與所述電極搭接。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述無機介電材料為鋯鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅、ZrO₂、Gd₂O₃、TiO₂、HfO₂、HfSiO_x、HfAlO、AlO_y、LaYO、LaNbO、Sc₂O₃、Y₂O₃、Pr₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Ho₂O₃、Lu₂O₃、Er₂O₃、HfLaO、La_0.87Ti_0.13ON或BN；

其中，HfSiO_x中，x＝1-4；AlO_y中，y＝0.5-3。

3.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述介電常數大于5的聚合物材料為PVA、PVAc、PVC、PVP、PVPh、cPVP、PS、cPS、PC、PTFE、BCB、PMPA、PPA、PTFMA、PtBS、POPA、SF、P(VDF-TrFE-CFE)、P123-PS、PαMS、SAN、pV3D3或CEP-PEMA。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述第二介電層的厚度為30-500nm。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導體層的材料為并苯類化合物及其衍生物、并雜環及苯并雜環類衍生物、TTFs及寡聚噻吩類衍生物、苯并氮雜環及其衍生物、環狀有機半導體材料、酰亞胺類有機半導體材料、含氰基的有機半導體材料、含鹵素的有機半導體材料、富勒烯類有機半導體材料、有機液晶半導體材料或共軛高分子半導體材料。