[發(fā)明專利]垂直多結(jié)硅光伏器件的電極引線及集成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810165627.0
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN108400176B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張治國
• 申請（專利權(quán)）人: 張治國
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/18
• 代理公司: 11315 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 吳家偉

1.一種垂直多結(jié)硅光伏器件的電極引線，其特征在于，包括：P區(qū)域和N區(qū)域，所述P區(qū)域和N區(qū)域形成PN相間的二極管陣列；所述PN相間的二極管陣列的縱向線陣列上設(shè)置有P型導(dǎo)電隔離線；所述P型導(dǎo)電隔離線通過摻雜形成；摻雜后形成的P型導(dǎo)電隔離線將芯片隔離成兩個(gè)區(qū)域，分別為敏感區(qū)和用于敷設(shè)電極的區(qū)域；

其中，所述縱向?yàn)榇怪庇谒鯬區(qū)域和N區(qū)域的平行排布的方向；P型導(dǎo)電隔離線把所有的P區(qū)域連接起來；

所述垂直多結(jié)硅光伏器件的電極引線還包括N+區(qū)和P型電極引線區(qū)；所述N+區(qū)和P型電極引線區(qū)處覆蓋有銀鋁漿；在一個(gè)單元的器件中，覆蓋N+區(qū)的銀鋁漿是二極管負(fù)極，覆蓋所述P型導(dǎo)電隔離線一側(cè)的用于敷設(shè)電極的區(qū)域的銀鋁漿是二極管正極。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直多結(jié)硅光伏器件的電極引線，其特征在于，所述P區(qū)域?yàn)榘疾邸?/p>

3.一種垂直多結(jié)硅光伏器件的集成方法，其特征在于，所述垂直多結(jié)硅光伏器件包括如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的垂直多結(jié)硅光伏器件的電極引線，包括：

將硅片進(jìn)行備用處理；

將經(jīng)過備用處理的硅片依次在鍍膜機(jī)和燒結(jié)爐中進(jìn)行加熱處理，并進(jìn)行清洗；

將清洗后的硅片放入熱遷移摻雜爐，無鋁表面溫度1000℃，溫度梯度100℃/cm；熱遷移摻雜時(shí)間2.5小時(shí)，真空度3×10^-4毫米汞柱；

將熱遷移摻雜后的硅片作成形處理。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將硅片進(jìn)行備用處理的步驟具體為：

取厚800-1000μm，電阻率30-60Ωcm經(jīng)過磨平工藝后的N型硅片備用；在砂輪劃片機(jī)的電腦屏幕上設(shè)計(jì)出預(yù)設(shè)的圖形；并標(biāo)識(shí)出需要加工的區(qū)域；選用20μm厚砂輪片；按照預(yù)設(shè)的圖形加工成20μm寬，40μm深的槽；將劃好圖形的硅片用自來水沖洗，用去離子水超聲清洗5分鐘兩次，用無水乙醇超聲清洗5分鐘兩次，用丙酮超聲清洗5分鐘，再用無水乙醇超聲清洗5分鐘，浸泡在乙醇溶液內(nèi)備用。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述將經(jīng)過備用處理的硅片依次在鍍膜機(jī)和燒結(jié)爐中進(jìn)行加熱處理，并進(jìn)行清洗的步驟具體為：

將經(jīng)過備用處理的硅片放入鍍膜機(jī)，槽面向下蒸鍍高純鋁；硅片表面溫度350℃；鋁膜厚度20μm；待硅片溫度降到低于100℃時(shí)取出硅片；

將所述硅片放入燒結(jié)爐中572℃，11分鐘后取出硅片；

用平坦的油石磨去槽外的鋁和2微米的硅；

用自來水沖洗后再用去離子水、無水乙醇、丙酮、無水乙醇分別超聲清洗硅片2次10分鐘，和一次5分鐘、5分鐘和5分鐘。