[發明專利]高壓隔離層及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201810165171.8
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108336084B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 伍榮翔;陳書杰;方向明
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/04
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳嘯寰

1.一種隔離層的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上采用沉積法制備第一含硅材料層，采用熱氧化法使所述第一含硅材料層與氧化劑反應形成第一隔離層；所述襯底的表面具有溝槽；

在所述第一隔離層上制備至少一層第二隔離層，制備所述第二隔離層的方法包括：采用沉積法在所述襯底最外層的隔離層上制備第二含硅材料層，采用熱氧化法使所述第二含硅材料層與氧化劑反應形成第二隔離層；

所述第一含硅材料層和所述第二含硅材料層為多晶硅或非晶硅中的一種或兩種；所述氧化劑為含有氧元素或者氮元素的一種或多種化學物質，所述氧化劑包括水蒸氣或氧氣中的一種或兩種。

2.根據權利要求1所述的隔離層的制備方法，其特征在于，所述第一含硅材料層的部分或全部與所述氧化劑發生反應，所述第二含硅材料層的部分或全部與所述氧化劑發生反應。

3.根據權利要求1所述的隔離層的制備方法，其特征在于，所述第一含硅材料層和所述第二含硅材料層含有摻雜元素，所述摻雜元素包括硼、磷、砷、銻、碳以及氧中的任意一種或至少兩種。

4.根據權利要求3所述的隔離層的制備方法，其特征在于，所述摻雜元素的含量不超過所述第一含硅材料層和所述第二含硅材料層質量的10％。

5.根據權利要求1所述的隔離層的制備方法，其特征在于，所述熱氧化反應的反應溫度為800～1400℃。

6.一種隔離層，其特征在于，其包括：

襯底，所述襯底的表面具有溝槽；

沉積于所述襯底上的第一含硅材料層；

第一隔離層，所述第一隔離層由所述第一含硅材料層與氧化劑反應得到；

第二含硅材料層，所述第二含硅材料層沉積于所述襯底最外層的隔離層上；以及

至少一層第二隔離層，所述第二隔離層由所述第二含硅材料層與氧化劑反應得到；

所述第一含硅材料層和所述第二含硅材料層為多晶硅或非晶硅中的一種或兩種；所述氧化劑為含有氧元素或者氮元素的一種或多種化學物質，所述氧化劑包括水蒸氣或氧氣中的一種或兩種。

7.一種信號隔離電容，其特征在于，其包括權利要求6所述的隔離層。

8.一種隔離變壓器，其特征在于，其包括權利要求6所述的隔離層。