[發(fā)明專利]一種金屬管內(nèi)生長晶體包層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810163894.4 | 申請日： | 2018-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN108411359B | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐軍;王東海;李納;薛艷艷;羅平;王慶國;唐慧麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02;C30B15/00;C30B29/24;H01S3/067 |
| 代理公司： | 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 蔣亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬管 生長 晶體 包層 方法 | ||
1.一種金屬管內(nèi)生長晶體包層的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01，用微下拉或?qū)７?，或是激光加熱基座法得到直?.1-3mm的晶體光纖；
S02，將步驟S01得到的晶體光纖插入金屬套管里，套管的芯徑大于光纖的直徑0.1-0.8mm，套管下端是直徑和晶體光纖直徑相同的金屬絲；
S03，將步驟S02得到的金屬套管、晶體光纖、金屬絲組合安裝到晶體生長提拉爐籽晶桿上；
S04，加熱提拉爐坩堝內(nèi)的原料至熔化，下降籽晶桿，使金屬套管下端金屬絲部分浸入熔體中，金屬絲上端露出液面部分長度2-3mm，熔體即在毛細(xì)作用下沿金屬套管和晶體光纖及金屬絲之間的間隙爬升；
S05，繼續(xù)升高坩堝內(nèi)熔體的溫度，使熔體充滿金屬套管和晶體光纖的間隙；
S06，以5-10mm/h的拉速將金屬套管拉出坩堝內(nèi)的熔體；
S07，開始以200-300℃的降溫速率降到室溫，得到帶有晶體包層的晶體光纖；
S08，將晶體包層的晶體光纖從金屬套管中取出，整個(gè)過程結(jié)束；
所述的晶體光纖的熔點(diǎn)溫度高于晶體包層材料熔點(diǎn)溫度50-500℃；
所述的金屬絲的長度為20-30mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬管內(nèi)生長晶體包層的方法，其特征在于，所述的晶體光纖的折射率大于晶體包層材料折射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬管內(nèi)生長晶體包層的方法，其特征在于，所述的金屬套管和金屬絲的材料是鎢、鉬、銥或鉑。
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