[發(fā)明專利]LDMOS器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810163584.2
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN108400168B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 房子荃;錢文生
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

第二導(dǎo)電類型的第一外延層，在所述第一外延層的選定區(qū)域中形成有第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)和第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；所述漂移區(qū)和所述體區(qū)橫向接觸或隔離有距離；

在所述漂移區(qū)的選定區(qū)域中形成由漂移區(qū)場氧；

在所述體區(qū)的表面形成有由柵介質(zhì)層和多晶硅柵疊加而成的柵極結(jié)構(gòu)，被所述多晶硅柵覆蓋的所述體區(qū)表面用于形成溝道；

所述柵介質(zhì)層的第二側(cè)和所述漂移區(qū)場氧的第一側(cè)相接觸，所述多晶硅柵的第二側(cè)延伸到所述漂移區(qū)場氧的表面上；

源區(qū)形成于所述體區(qū)表面且所述源區(qū)的第二側(cè)和所述多晶硅柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)；

漏區(qū)形成于所述漂移區(qū)中且所述漏區(qū)的第一側(cè)和所述漂移區(qū)場氧的第二側(cè)自對準(zhǔn)；

所述漂移區(qū)場氧的主體部分由第一氧化層沉積后進(jìn)行光刻和刻蝕形成；

所述漂移區(qū)場氧的側(cè)面具有緩變結(jié)構(gòu)，所述緩變結(jié)構(gòu)通過第二氧化層沉積后進(jìn)行全面的各向異性刻蝕確定，所述第二氧化層沉積后會覆蓋在所述主體結(jié)構(gòu)的表面以及所述主體結(jié)構(gòu)外的所述第一外延層表面并在所述主體結(jié)構(gòu)的側(cè)面上方形成緩變側(cè)面，對所述第二氧化層進(jìn)行全面的各向異性刻蝕后將所述主體結(jié)構(gòu)的側(cè)面上方形成的緩變側(cè)面下沉后形成所述緩變結(jié)構(gòu)，所述漂移區(qū)場氧通過所述緩變結(jié)構(gòu)和所述柵介質(zhì)層相接觸并降低所述漂移區(qū)場氧和所述柵介質(zhì)層接觸位置處的電場強(qiáng)度。

2.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述第一外延層的底部形成有第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的第一埋層；所述第一埋層形成于半導(dǎo)體襯底表面。

3.如權(quán)利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述第一外延層為硅外延層。

4.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區(qū)場氧的寬度和厚度由所述第一氧化層的厚度和所述第二氧化層的厚度確定。

5.如權(quán)利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于：對所述第二氧化層進(jìn)行全面的各向異性刻蝕后會將所述主體結(jié)構(gòu)的表面以及所述主體結(jié)構(gòu)外的所述第一外延層表面所述第二氧化層都去除。

6.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述柵介質(zhì)層為柵氧化層。

7.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述體區(qū)的表面還形成有第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s的體引出區(qū)，所述體引出區(qū)和所述源區(qū)的第一側(cè)的側(cè)面相接觸。

8.如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)項所述的LDMOS器件，其特征在于：LDMOS器件為N型器件，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型；或者，LDMOS器件為P型器件，第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。