[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體器件制造的系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810161978.4 | 申請日： | 2018-02-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108807219A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許耀文;連建洲;楊能杰;陳冠霖 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濕法清潔 等離子體 去除 半導(dǎo)體器件制造 含氮等離子體 有機(jī)化合物 干法蝕刻 供體材料 清潔系統(tǒng) 水性濕法 非晶硅 氟離子 含碳硅 氧化硅 再利用 凹陷 氮硅 羥基 配置 回收 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于半導(dǎo)體器件制造的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：
至少部分含水的系統(tǒng)，其被配置用于去除含碳硅殘留物或含氮硅殘留物中的至少一種，所述至少部分含水的系統(tǒng)包括：
羥基封端的有機(jī)材料；和
氟離子供體材料。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
