[發明專利]封管合成碲硒鎘的方法有效
| 申請號： | 201810160320.1 | 申請日： | 2018-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN108394873B | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 范文濤;朱劉;李德官;胡智向 | 申請（專利權）人： | 清遠先導材料有限公司 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 511517 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 合成 碲硒鎘 方法 | ||
本發明涉及一種封管合成碲硒鎘的方法，該方法包括如下步驟：S1：將一定量碲粉、鎘粉和硒粉混合，放置在一均質機內均質；鎘粉、硒粉和碲粉摩爾比為10:(1～5):(5～9)；S2：將上述混合均質的物料裝入一石墨筒中，再將石墨筒放入一石英管內，然后再將石英管裝入一真空封管爐內，將真空封管爐抽真空，然后對石英管進行封管；S3：將封管好的石英管裝入一加熱爐內，加熱爐以5～20℃/min的升溫速率升溫，加熱至900～1200℃，保溫1～5h；保溫結束后，停止加熱，打開爐膛，自然降溫，溫度低于60℃出爐得到碲硒鎘塊體。本發明封管合成碲硒鎘的方法對設備要求低，產品收率高，工序簡單，可規模化生產，生產成本低。
技術領域
本發明涉及半導體材料制備領域，尤其涉及一種封管合成碲硒鎘的方法。
背景技術
碲硒鎘（CdSeTe），是一種化合物半導體材料。碲硒鎘的能隙值為1.5eV左右，處于理想的太陽電池能隙范圍，有很好的光電轉換效率。隨著薄膜產業的飛速發展，薄膜科學技術與薄膜材料在材料學領域已成為研究的熱點。碲硒鎘作為一種三元化合物薄膜太陽能材料，具有廣闊的發展前景，研究其合成方法有利于薄膜太陽能材料的發展。同時碲硒鎘化合物也用于制作紅外調制器，紅外探測等用途。目前國內外關于碲硒鎘合成的方法，鮮有報道。
對此，本發明提出一種封管合成碲硒鎘的方法。
發明內容
本發明的目的在于提供一種工序簡單、成本低廉的封管合成碲硒鎘的方法。
為實現前述目的，本發明采用如下技術方案：一種封管合成碲硒鎘的方法，該方法包括如下步驟：
S1：將一定量碲粉、鎘粉和硒粉混合，放置在一均質機內均質；鎘粉、硒粉和碲粉摩爾比為10:(1～5):(5～9)；
S2：將上述混合均質的物料裝入一石墨筒中，再將石墨筒放入一石英管內，然后再將石英管裝入一真空封管爐內，將真空封管爐抽真空，然后對石英管進行封管；
S3：將封管好的石英管裝入一加熱爐內，加熱爐以5～20℃/min的升溫速率升溫，加熱至900～1200℃，保溫1～5h；保溫結束后，停止加熱，打開爐膛，自然降溫，溫度低于60℃出爐得到碲硒鎘塊體。
作為本發明的進一步改進，鎘粉的摩爾量等于硒粉和碲粉的摩爾量之和。
作為本發明的進一步改進，該方法還包括如下步驟：S4：將碲硒鎘塊體用破碎機進行破碎，并將破碎后的物料放入球磨罐，球磨得到碲硒鎘粉體，碲硒鎘粉體經過篩分得到不同粒度的碲硒鎘產品。
作為本發明的進一步改進，碲粉、鎘粉、硒粉的純度均為5N及以上。
作為本發明的進一步改進，碲粉、鎘粉、硒粉的粒徑小于150μm。
作為本發明的進一步改進，S2中，真空封管爐抽真空后，真空封管爐的真空度范圍1×10-5～1×10-3 KPa。
作為本發明的進一步改進，球磨時間為0.3h～4h。
作為本發明的進一步改進，S4中，球磨罐中采用適量的鋯球進行球磨。
作為本發明的進一步改進， S1中，均質時間為1-4h。
作為本發明的進一步改進，均質機采用三維均質機。
本發明封管合成碲硒鎘的方法對設備要求低，產品收率高，工序簡單，可規模化生產，生產成本低，能夠球磨過篩得到不同粒徑的碲硒鎘產品，滿足不同客戶的定制化需求。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清遠先導材料有限公司，未經清遠先導材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810160320.1/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
