[發(fā)明專利]基于綜合流體識(shí)別指數(shù)識(shí)別儲(chǔ)層流體的方法與裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810160135.2
• 申請(qǐng)日: 2018-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN108518220B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖廣志;肖立志;王瑋;楊傳鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國石油大學(xué)（北京）
• 主分類號(hào): E21B49/08
• 分類號(hào): E21B49/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張子青;劉芳

1.一種基于綜合流體識(shí)別指數(shù)識(shí)別儲(chǔ)層流體的方法，其特征在于，包括：

獲取油井的儲(chǔ)層的淺電阻率與深電阻率之間的比值、所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度、所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度、以及所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

根據(jù)所述儲(chǔ)層的淺電阻率與深電阻率之間的比值、所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度、所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度、以及所述儲(chǔ)層的含水飽和度，確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)；

根據(jù)所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)，確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型；

所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)為

其中，RI為所述儲(chǔ)層的淺電阻率，RT為所述儲(chǔ)層的深電阻率，S_wir為所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度，EDPRO為所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度，S_w為所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

根據(jù)所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)，確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型，包括：

若確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)大于等于100，則確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型為油層；

若確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)小于100，則確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型為差油層或水層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取油井的儲(chǔ)層的淺電阻率與深電阻率之間的比值、所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度、所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度、以及所述儲(chǔ)層的含水飽和度，包括：

采用電阻率測井方法得到所述儲(chǔ)層的淺電阻率、以及所述儲(chǔ)層的深電阻率，并將所述儲(chǔ)層的淺電阻率除以所述儲(chǔ)層的深電阻率，得到所述比值；

采用電阻率測井儀器或者聲波測井儀器對(duì)所述儲(chǔ)層進(jìn)行測量，采集到所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度和所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

采用核磁共振裝置對(duì)所述儲(chǔ)層進(jìn)行測量，采集到所述儲(chǔ)層的長等待時(shí)間孔隙度和所述儲(chǔ)層的短等待時(shí)間孔隙度，并將所述儲(chǔ)層的長等待時(shí)間孔隙度減去所述儲(chǔ)層的短等待時(shí)間孔隙度得到所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在根據(jù)所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)，確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型之后，還包括：

存儲(chǔ)和/或顯示所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型。

4.一種基于綜合流體識(shí)別指數(shù)識(shí)別儲(chǔ)層流體的裝置，其特征在于，包括：

獲取模塊，用于獲取油井的儲(chǔ)層的淺電阻率與深電阻率之間的比值、所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度、所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度、以及所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

第一確定模塊，用于根據(jù)所述儲(chǔ)層的淺電阻率與深電阻率之間的比值、所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度、所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度、以及所述儲(chǔ)層的含水飽和度，確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)；

第二確定模塊，用于根據(jù)所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)，確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型；

所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)為

其中，RI為所述儲(chǔ)層的淺電阻率，RT為所述儲(chǔ)層的深電阻率，S_wir為所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度，EDPRO為所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度，S_w為所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

所述第二確定模塊，包括：

第一確定子模塊，用于若確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)大于等于100，則確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型為油層；

第二確定子模塊，用于若確定所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)小于100，則確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型為差油層或水層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述獲取模塊，包括：

第一計(jì)算子模塊，用于采用電阻率測井方法得到所述儲(chǔ)層的淺電阻率、以及所述儲(chǔ)層的深電阻率，并將所述儲(chǔ)層的淺電阻率除以所述儲(chǔ)層的深電阻率，得到所述比值；

第二計(jì)算子模塊，用于采用電阻率測井儀器或者聲波測井儀器對(duì)所述儲(chǔ)層進(jìn)行測量，采集到所述儲(chǔ)層的束縛水飽和度和所述儲(chǔ)層的含水飽和度；

第三計(jì)算子模塊，用于采用核磁共振裝置對(duì)所述儲(chǔ)層進(jìn)行測量，采集到所述儲(chǔ)層的長等待時(shí)間孔隙度和所述儲(chǔ)層的短等待時(shí)間孔隙度，并將所述儲(chǔ)層的長等待時(shí)間孔隙度減去所述儲(chǔ)層的短等待時(shí)間孔隙度得到所述儲(chǔ)層的核磁共振差譜孔隙度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述裝置，還包括：

處理模塊，用于在所述第二確定模塊根據(jù)所述儲(chǔ)層的綜合流體識(shí)別指數(shù)，確定所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型之后，存儲(chǔ)和/或顯示所述儲(chǔ)層的儲(chǔ)層流體類型。