[發(fā)明專利]壓電元件以及壓電元件應(yīng)用裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810159615.7
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN108656749B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北田和也;角浩二;酒井朋裕;高橋敏明;淺川勉
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B41J2/14
• 分類號(hào): B41J2/14;H01L41/083;H01L41/18
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;張放

1.一種壓電元件，其特征在于，具有：

基板；

第一電極，其被形成在所述基板上；

壓電體層，其被形成在所述第一電極上，且為包含鉀、鈉、以及鈮的多個(gè)壓電體膜層疊而成的層疊體；

第二電極，其被形成在所述壓電體層上，

所述壓電體層中的鈉濃度在所述多個(gè)壓電體膜中的第一壓電體膜的所述第一電極的附近處具有作為所述鈉濃度的極大值的Na極大值，且從所述Na極大值起越靠近所述第二電極則越向所述鈉濃度減少的方向變化，并且在所述第一壓電體膜與被形成于所述第一壓電體膜正上方的第二壓電體膜的邊界附近處具有作為所述鈉濃度的極小值的Na極小值。

2.如權(quán)利要求1所述的壓電元件，其特征在于，

所述Na極大值相對(duì)于所述Na極小值的SIMS測定中的強(qiáng)度比(Na極大值/Na極小值)為1.05以上。

3.如權(quán)利要求2所述的壓電元件，其特征在于，

所述Na極大值相對(duì)于所述Na極小值的SIMS測定中的強(qiáng)度比(Na極大值/Na極小值)為1.6以下。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的壓電元件，其特征在于，

所述壓電體層中的鉀濃度在所述第一壓電體膜與所述第二壓電體膜的邊界附近處具有作為鉀濃度的極大值的K極大值，且從所述K極大值起越靠近所述第一電極則越向所述鉀濃度減少的方向變化。

5.如權(quán)利要求4所述的壓電元件，其特征在于，

在將所述第一壓電體膜與所述第一電極的邊界附近的所述鉀濃度的拐點(diǎn)設(shè)為K拐點(diǎn)值時(shí)，所述K極大值相對(duì)于所述K拐點(diǎn)值的SIMS測定中的強(qiáng)度比(K極大值/K拐點(diǎn)值)為1.15以上。

6.如權(quán)利要求5所述的壓電元件，其特征在于，

所述K極大值相對(duì)于所述K拐點(diǎn)值的SIMS測定中的強(qiáng)度比(K極大值/K拐點(diǎn)值)為2.0以下。

7.如權(quán)利要求1所述的壓電元件，其特征在于，

所述壓電體層包含0.2摩爾％以上且2.0摩爾％以下的錳。

8.如權(quán)利要求1所述的壓電元件，其特征在于，

所述基板包含氧化鋯。

9.一種壓電元件應(yīng)用裝置，其特征在于，

具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的壓電元件。