[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810159094.5 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108630568B | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 太田喬;林昌之;奧田次郎;中島章宏 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內(nèi)上*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基板處理裝置及基板處理方法。本發(fā)明提供一種基板處理裝置的控制裝置,其包括信息獲取部、加熱執(zhí)行部、存儲裝置、開度決定部、開度設定部以及處理液供給部。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。在作為處理對象的基板中,例如,包含半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、場發(fā)射顯示器(Field Emission Display,F(xiàn)ED)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術(shù)
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的制造工序中,會使用對半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。
日本專利特開2016-152354號公報中,揭示了一種對基板一片片地進行處理的單片式基板處理裝置。所述基板處理裝置包括一面水平地保持基板一面使基板圍繞著通過基板的中央部的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的自旋夾頭(spinchuck)、朝向由自旋夾頭保持著的基板噴出處理液的噴嘴、對要供給至噴嘴的處理液進行加熱的多個加熱器。多個加熱器包括對進行循環(huán)的處理液進行加熱的上游加熱器、與在由上游加熱器進行了加熱的處理液從噴嘴噴出之前對所述處理液進行加熱的下游加熱器。
供給至基板的處理液通過由包括配管以及噴嘴的多個構(gòu)件而形成的流路而從噴嘴噴出。從噴嘴噴出的處理液通過噴嘴與基板之間的空間而與基板碰撞。
在供給至基板的處理液由加熱器預先加熱的情況下,處理液的一部分熱放出至流路或空氣中。這種熱損失必然會發(fā)生,因此,稍低于加熱器的溫度的處理液被供給至基板。
在處理液的剛開始時與之后,處理液的熱損失量不同。因此,即使預想到熱損失而設定加熱器的溫度,從噴嘴噴出時的處理液的溫度也隨時間的經(jīng)過而發(fā)生變化。為了抑制這種溫度的變化,考慮在途中變更加熱器的溫度設定,但加熱器以及處理液的溫度未必會立刻變化。
因此本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠以更高的精度對從噴嘴噴出時的處理液的溫度進行控制的基板處理裝置以及基板處理方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式提供一種基板處理裝置,其具備:至少一個加熱器,對處理液進行加熱;第1配管,對由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液進行引導;第1流量調(diào)整閥,對供給至所述第1配管的處理液的流量進行變更;第1噴嘴,將由所述第1配管引導的處理液朝向基板噴出;以及控制裝置,對所述至少一個加熱器與所述第1流量調(diào)整閥進行控制。
所述控制裝置包括:信息獲取部,獲取表示由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液的溫度的目標值的加熱溫度、與從所述第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的目標值,即比所述加熱溫度低的第1設定溫度;加熱執(zhí)行部,使所述至少一個加熱器以所述加熱溫度對處理液進行加熱;存儲裝置,存儲第1開度決定數(shù)據(jù),所述第1開度決定數(shù)據(jù)是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第1配管的處理液以第1噴出溫度從所述第1噴嘴被噴出時被供給至所述第1配管的處理液的流量相對應的所述第1流量調(diào)整閥的開度進行規(guī)定的數(shù)據(jù);第1開度決定部,基于所述存儲裝置中所存儲的所述第1開度決定數(shù)據(jù)、與所述信息獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第1設定溫度,決定與第1目標流量相對應的第1目標開度,所述第1目標流量使所述第1噴出溫度與所述第1設定溫度一致或接近;第1開度設定部,將所述第1流量調(diào)整閥的開度設定為所述第1目標開度;以及第1處理液供給部,經(jīng)由所述第1配管將處理液供給至所述第1噴嘴。
根據(jù)所述構(gòu)成,被加熱器以加熱溫度加熱了的處理液經(jīng)由第1配管而被供給至第1噴嘴。表示從第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的第1噴出溫度不僅相應于供給至第1配管的處理液的溫度而發(fā)生變化,也相應于供給至第1配管的處理液的流量而發(fā)生變化。即,當處理液的供給流量減少時,第1噴出溫度下降,當處理液的供給流量增加時,第1噴出溫度上升。這是因為:熱損失量與處理液的供給流量無關而大致固定,與此相對,處理液的熱容量相應于處理液的供給流量而發(fā)生變化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





