[發明專利]半導體裝置、半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201810156731.3
• 申請日: 2018-02-24
• 公開（公告）號: CN108511408B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 大宅大介;橫田智司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體芯片；

電極，其與所述半導體芯片電連接，具有環狀部；

筒狀電極，其具有形成有螺紋槽的主體部、和與所述主體部相連且寬度比所述主體部窄的窄幅部，所述窄幅部插入至所述環狀部的內側，使該筒狀電極與所述電極電連接；以及

所述半導體芯片和所述電極的殼體，該殼體使所述螺紋槽、以及所述環狀部與所述筒狀電極的連接部露出，且該殼體與所述主體部接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述環狀部的內壁與所述窄幅部接觸。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述筒狀電極具有與所述窄幅部連接且寬度大于所述窄幅部的寬幅部，

所述環狀部的上表面與所述主體部接觸，所述環狀部的下表面與所述寬幅部接觸。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述環狀部在俯視觀察時為圓形。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述環狀部的外徑大于或等于所述主體部的寬度。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述環狀部的外徑大于所述寬幅部的外徑。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述筒狀電極在所述主體部的側面具有肋部，

所述殼體將所述肋部覆蓋。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述窄幅部的側壁形成有螺紋槽，在所述環狀部的內壁形成有螺紋槽，從而使所述窄幅部和所述環狀部進行螺紋緊固。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述窄幅部和所述環狀部通過卡扣而接觸。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體芯片由寬帶隙半導體形成。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體是碳化硅、氮化鎵類材料或金剛石。

12.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

第1準備工序，將具有主體部、和與所述主體部相連且寬度比所述主體部窄的窄幅部的筒狀電極搭載于下模具，使所述主體部與所述下模具接觸；

第2準備工序，將具有環狀部的電極搭載于所述下模具，在所述環狀部中收容所述窄幅部的一部分，且使所述窄幅部從所述環狀部向上方凸出；

合模工序，通過上模具和所述下模具進行合模，利用所述上模具將從所述環狀部向上方凸出的所述窄幅部擠壓變形，形成在所述環狀部之上擴寬的寬幅部；以及

樹脂注入工序，向由所述上模具和所述下模具包圍的空腔注入樹脂，使所述樹脂與所述主體部的側面接觸。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述上模具具有鉚接銷，在所述合模工序中，利用所述鉚接銷將從所述環狀部向上方凸出的所述窄幅部擠壓變形，從而形成所述寬幅部。

14.根據權利要求12或13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述樹脂注入工序結束后，所述寬幅部從所述樹脂露出。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述窄幅部中的在所述合模工序與所述鉚接銷接觸的部分形成锪孔部。