[發明專利]一種改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法在審
| 申請號： | 201810155912.4 | 申請日： | 2018-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN108387423A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 李可;戴春雷;余強華 | 申請（專利權）人： | 深圳順絡電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/32;G01N17/00 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艷平 |
| 地址： | 518110 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鹽霧 粗糙度 基板表面 拋光處理 微觀形貌 精拋液 拋光液 致密性 預設 打磨 | ||
1.一種改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：采用粗拋光液對LTCC基板表面進行打磨到預設的粗糙度；
S2：采用精拋液對步驟S1處理后的LTCC基板表面進行拋光處理。
2.根據權利要求1所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S1中的所述粗拋光液為單晶金剛砂拋光液。
3.根據權利要求2所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，單晶金剛砂拋光液的細度范圍為0.4～0.2μm。
4.根據權利要求1所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S2中的所述精拋液為納米金剛砂拋光液。
5.根據權利要求4所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，納米金剛砂拋光液的細度范圍為0.01～0.02μm。
6.根據權利要求1所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S1中還包括對進行打磨處理后的LTCC基板進行清洗，并烘干，其中烘干處理的溫度為80～90℃。
7.根據權利要求1所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S2中還包括對進行拋光處理后的LTCC基板進行清洗，并烘干，其中烘干處理的溫度為80～90℃。
8.根據權利要求1所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S1中具體還包括：在采用粗拋光液對LTCC基板表面進行打磨之前還通過采用電子顯微鏡查看LTCC基板表面的微觀形貌來初步判定LTCC基板表面的粗糙度，再采用粗糙度儀來監控LTCC基板表面的粗糙度以打磨到預設的粗糙度，其中所述電子顯微鏡的倍率不低于1000倍。
9.根據權利要求1至8任一項所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S1中的預設的粗糙度為不高于0.1μm。
10.根據權利要求1至8任一項所述的改善LTCC基板鹽霧可靠性的方法，其特征在于，步驟S2中拋光處理后的LTCC基板表面的粗糙度不高于0.01μm。
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