[發明專利]壓力傳感器、壓力傳感器的制造方法、壓力傳感器模塊、電子設備以及移動體

在審

• 申請號: 201810154900.X
• 申請日: 2018-02-23
• 公開（公告）號: CN108529549A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 四谷真一;竹內淳一;田中信幸;衣川拓也;松沢勇介
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;G01L9/00
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;黃明武

1.一種壓力傳感器，其特征在于，具有：

基板，其具有通過受壓而發生撓曲變形的隔膜；

側壁部，其被配置于所述基板的一面側，并在俯視觀察時包圍所述隔膜；

密封層，其以隔著被所述側壁部包圍的空間而與所述隔膜對置的方式被配置，并對所述空間進行密封，

所述密封層具有：

第一硅層；

第二硅層，其相對于所述第一硅層而位于與所述基板相反的一側；

氧化硅層，其位于所述第一硅層與所述第二硅層之間，

所述氧化硅層被所述第二硅層覆蓋并相對于外部而被密封。

2.如權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，

在所述氧化硅層中，所述第一硅層側的主面通過所述第一硅層而被覆蓋，所述第二硅層側的主面通過所述第二硅層而被覆蓋，側面通過所述第二硅層而被覆蓋。

3.如權利要求2所述的壓力傳感器，其特征在于，

在俯視觀察所述密封層時，所述氧化硅層的外緣位于所述第一硅層的外緣的內側，

在所述氧化硅層上以及所述第一硅層的從所述氧化硅層露出的區域上，層疊有所述第二硅層。

4.如權利要求1至3中任一項所述的壓力傳感器，其特征在于，

所述基板包含硅。

5.一種壓力傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

準備具有隔膜形成區域的基板的工序；

在所述基板的一面側形成俯視觀察所述基板時包圍所述隔膜形成區域的側壁部、和以隔著被所述側壁部包圍的空間而與所述隔膜形成區域對置的方式被配置并對所述空間進行密封的密封層的工序；

在所述隔膜形成區域形成通過受壓而發生撓曲變形的隔膜的工序，

在形成所述密封層的工序中，形成第一硅層、相對于所述第一硅層而位于與所述空間相反的一側的第二硅層、以及位于所述第一硅層與所述第二硅層之間的氧化硅層，并通過利用所述第二硅層來覆蓋所述氧化硅層，從而將所述氧化硅層相對于外部而進行密封。

6.如權利要求5所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，

形成所述密封層的工序包括：

形成所述第一硅層的工序；

在所述第一硅層上以在俯視觀察所述第一硅層時使所述第一硅層從周圍露出的方式而形成所述氧化硅層的工序；

在所述氧化硅層上以及所述第一硅層的從所述氧化硅層露出的區域上形成所述第二硅層的工序。

7.一種壓力傳感器模塊，其特征在于，具有：

權利要求1至4中任一項所述的壓力傳感器；

封裝件，其收納所述壓力傳感器。

8.一種電子設備，其特征在于，

具有權利要求1至4中任一項所述的壓力傳感器。

9.一種移動體，其特征在于，

具有權利要求1至4中任一項所述的壓力傳感器。