[發明專利]一種高性能燒結釹鐵硼磁體及其制備方法

有效

• 申請號: 201810154877.4
• 申請日: 2018-02-23
• 公開（公告）號: CN108281246B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 毛華云;詹益街
• 申請（專利權）人: 金力永磁（寧波）科技有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/10;C22C38/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種釹鐵硼磁體，其特征在于，具有如式I所述的通式：

R_xFe_{100-x-y1-y2-z}M_y1A_y2B_z I；

其中，x、y1、y2和z為質量百分數，28≤x≤35，0＜y1≤6，0.04≤y2≤0.5，0.8≤z≤1.2；

R包括Pr和/或Nd；

M選自Nb、Co、Ga、Al、Cu和Ti中的一種或幾種；

A為Zr和Hf。

2.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R還包括Dy和/或Tb；

所述M選自Co、Al和Cu中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述式I中，0.1≤y1≤5；0.04≤y2≤0.4；

所述Zr的質量百分數為0.02～0.15；

所述Hf的質量百分數為0.02～0.15。

4.根據權利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述釹鐵硼磁體按質量百分比組成，包括：Pr-Nd：28％～35％；B：0.8％～1.2％；Al：0.1～1.8％；Cu：0.2～0.6％；Co：0.5～2％；Zr：0.02～0.15％；Hf：0.02～0.15％；余量為Fe。

5.一種如權利要求1～4任意一項所述的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A)將釹鐵硼原料經過速凝薄片工藝后，得到釹鐵硼速凝薄片；

B)將上述步驟得到的釹鐵硼速凝薄片進行氫破碎和氣流磨后，得到釹鐵硼粉末；

C)將上述步驟得到的釹鐵硼粉末經過取向成型和燒結后，得到釹鐵硼磁體。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述速凝薄片工藝的溫度為1450～1490℃；

所述釹鐵硼速凝薄片的厚度為0.10～0.60mm。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述氫破碎過程中，吸氫時間為1～3h，吸氫溫度為20～300℃；

脫氫時間為3～7h，脫氫溫度為550～600℃；

所述氫破碎后，還包括水冷步驟；

所述水冷的時間為1～3h。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述氣流磨具體為加入潤滑劑進行磨粉；

所述潤滑劑占所述磨粉后得到的混合細粉質量比為0.02％～0.1％；

所述磨粉后的粒度為2～10μm。

9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述取向成型包括取向壓制和等靜壓成型步驟；

所述取向成型具體為：在無氧或低氧的條件下，進行取向成型；

所述取向成型的磁場強度為1.2～3T；

所述燒結的溫度為1000～1200℃；所述燒結的時間為5～15h；

所述燒結的真空度為小于等于0.02Pa。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述燒結后還包括時效處理步驟；

所述時效處理包括第一次時效處理和第二次時效處理；

所述第一次時效處理的溫度為700～950℃，所述第一次時效處理的時間為2～15小時；

所述第二次時效處理的溫度為350～550℃，所述第二次時效處理的時間為1～8小時。