[發明專利]電介質組合物、電介質元件、電子部件和層疊電子部件有效
| 申請號： | 201810154874.0 | 申請日： | 2018-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN108467266B | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 野村涼太;秋場博樹;阿滿三四郎;高橋哲弘 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/495 | 分類號： | C04B35/495;C04B35/622;H01G4/10;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質 組合 元件 電子 部件 層疊 | ||
1.一種電介質組合物，其特征在于，
主成分由化學式A6－xBxCx+2D8－xO30表示，其中，0≦x≦5，并且，所述主成分具有鎢青銅型的晶體結構，
所述A成分為從Ba、Ca和Sr中選擇的至少一種元素，
所述B成分為從Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中選擇的至少一種元素，
所述C成分為從Ti、Zr中選擇的至少一種元素，
所述D成分為從Nb、Ta中選擇的至少一種元素，
相對于100摩爾的所述主成分，包含作為第一副成分的Ge的氧化物2.50摩爾以上且20.00摩爾以下。
2.如權利要求1所述的電介質組合物，其特征在于，
相對于100摩爾的所述主成分，包含作為第二副成分的從Mn、Mg、V、W、Mo、Si、Li、B和Al中選擇的至少一種的氧化物0.10摩爾以上且20.00摩爾以下。
3.一種電介質組合物，其特征在于，
所述電介質組合物由結晶顆粒和占據所述結晶顆粒間的晶界構成，
所述結晶顆粒以由化學式A6－xBxCx+2D8－xO30表示的化合物作為主成分，其中，0≦x≦5，并且，所述主成分具有鎢青銅型的晶體結構，
所述A成分為從Ba、Ca和Sr中選擇的至少一種元素，
所述B成分為從Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中選擇的至少一種元素，
所述C成分為從Ti、Zr中選擇的至少一種元素，
所述D成分為從Nb、Ta中選擇的至少一種元素，
所述電介質組合物含有作為第一副成分的Ge的氧化物，并且含有作為第二副成分的V的氧化物，
實質上包含Ge的所述結晶顆粒相對于全部所述結晶顆粒的存在比例小于10％。
4.如權利要求3所述的電介質組合物，其特征在于，
將所述晶界中的Ge的平均濃度設為C1，將實質上包含Ge的所述結晶顆粒中的Ge的平均濃度設為C2，以摩爾比計，C1/C2為10以上。
5.一種電介質組合物，其特征在于，
所述電介質組合物由結晶顆粒和占據所述結晶顆粒間的晶界構成，
所述結晶顆粒以由化學式A6－xBxCx+2D8－xO30表示的化合物作為主成分，其中，0≦x≦5，并且，所述主成分具有鎢青銅型的晶體結構，
所述A成分為從Ba、Ca和Sr中選擇的至少一種元素，
所述B成分為從Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中選擇的至少一種元素，
所述C成分為從Ti、Zr中選擇的至少一種元素，
所述D成分為從Nb、Ta中選擇的至少一種元素，
所述電介質組合物含有作為第一副成分的Ge的氧化物，并且含有作為第二副成分的V的氧化物，
將所述晶界中的Ge的平均濃度設為C1，將實質上存在Ge的所述結晶顆粒中的Ge的平均濃度設為C2，以摩爾比計，C1/C2為10以上。
6.如權利要求3～5中任一項所述的電介質組合物，其特征在于，
相對于100摩爾的所述主成分，所述V的氧化物的含量以V換算超過1.0摩爾且為5.0摩爾以下，所述Ge的氧化物的含量以Ge換算為10.0摩爾以上且17.5摩爾以下。
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