[發明專利]一種低維無鉛鈣鈦礦薄膜及其無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法有效
| 申請號： | 201810154056.0 | 申請日： | 2018-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN108321299B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 陳永華;邱健;夏英東;黃維 | 申請（專利權）人： | 南京工業大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 吳頻梅 |
| 地址： | 210009 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低維 無鉛 制備 太陽能電池制備 鈣鈦礦薄膜 錫基鈣鈦礦 鈣鈦礦 旋涂 致密 光電轉化效率 空穴傳輸層 器件穩定性 晶粒 太陽能電池 薄膜表面 光電材料 混合溶劑 器件領域 退火處理 基底 沉積 薄膜 加熱 平整 簡易 | ||
1.一種低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將丁胺的碘鹽，氯甲胺，碘化亞錫以及氟化亞錫按摩爾比2:3:4:0.8溶于特殊的混合溶劑中配置成低維錫基鈣鈦礦前驅液，在30-120℃下攪拌3-5小時；
(2)在清洗并且處理過的ITO透明導電玻璃上旋涂沉積空穴傳輸材料；
(3)在沉積有空穴傳輸層的ITO基底上，利用加熱旋涂技術沉積低維錫基鈣鈦礦薄膜，經過退火處理后得到平整致密的超大晶粒錫基鈣鈦礦薄膜；
(4)在此鈣鈦礦薄膜上旋涂沉積電子傳輸層；
(5)在電子傳輸層上接著真空熱蒸鍍界面修飾層和金屬電極；
所述的步驟(1)中特殊的混合溶劑為醋酸甲胺和二甲基亞楓的混合溶劑，其中醋酸甲胺體積比二甲基亞楓體積為25％-400％。
2.根據權利要求1所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(1)中鈣鈦礦前驅液濃度為100-300mg/mL。
3.根據權利要求1所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(2)中透明導電ITO電極上沉積的空穴傳輸層為PEDOT:PSS，具體步驟為：旋涂PEDOT:PSS后，在120℃下退火30min。
4.根據權利要求1所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(3)中加熱旋涂技術的基板溫度為40-120℃。
5.根據權利要求1所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(4)中旋涂沉積的電子傳輸層為PCBM，其中PCBM以18mg/mL的濃度溶于氯苯溶液中。
6.根據權利要求1所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法，其特征在于：所述的步驟(5)中界面修飾層為LiF，金屬電極為Al，具體步驟為：
(1)LiF熱蒸鍍在電子傳輸層上，厚度為1nm；
(2)金屬Al電極厚度為100nm。
7.根據權利要求1-6任一所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法制備的鈣鈦礦太陽能電池。
8.根據權利要求7所述的低維無鉛鈣鈦礦太陽能電池制備方法制備的鈣鈦礦太陽能電池在光電領域中的應用。
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