[發(fā)明專利]一種含硼空穴摻雜劑在鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層中的應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810154042.9
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108365103A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳永華;汪澤;夏英東;黃維
• 申請（專利權(quán)）人: 南京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 南京知識律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 吳頻梅

1.一種含硼空穴摻雜劑在鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層中的應(yīng)用，其特征在于：在常見的高分子空穴傳輸材料Poly-TPD、PTAA或TFB中添加一定質(zhì)量比的4-異丙基-4'-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽或三(五氟苯基)硼烷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硼空穴摻雜劑在鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層中的應(yīng)用，其特征在于：

(1)分別以氯苯為溶劑配制10mg/mL的Poly-TPD、PTAA或TFB溶液；

(2)在配制(1)中所述溶液時，分別按照溶質(zhì)的質(zhì)量比分別添加1：0；1:0.01；1:0.02；1:0.03；1:0.04；1:0.05；1:0.10或1:0.15的4-異丙基-4'-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽或三(五氟苯基)硼烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硼空穴摻雜劑在鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層中的應(yīng)用，其特征在于：將上述溶液置于磁力攪拌器上常溫下攪拌12h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硼空穴摻雜劑在鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層中的應(yīng)用，其特征在于

(1)在潔凈透明的ITO玻璃基底上以旋涂法制備出SnO₂電子傳輸層和鈣鈦礦薄膜；

(2)將不同比例摻雜后的空穴傳輸材料溶液以3000rpm旋涂在鈣鈦礦薄膜上，旋涂30s且任其室溫下自然干燥；

(3)在上述制備好的薄膜上以真空蒸鍍法蒸鍍5nm MoO₃薄膜作修飾層和100nm金屬Au電極。