[發明專利]顯示器用玻璃基板、以及顯示器用玻璃基板的制造方法

有效

• 申請號: 201810153967.1
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108455869B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 安田興平;井川信彰;林泰夫
• 申請（專利權）人: AGC株式會社
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;C03B18/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

本發明涉及顯示器用玻璃基板、以及顯示器用玻璃基板的制造方法。本發明提供一種在從吸附臺剝離時不易發生剝離帶電的顯示器用玻璃基板、及其制造方法。一種顯示器用玻璃基板，其特征在于，將從玻璃基板的與半導體元件形成面相反側的玻璃表面起算的深度0nm～10nm范圍內的氟濃度(摩爾％)的平均值設為F_0?10nm、將從該玻璃表面起算的深度100nm～400nm范圍內的氟濃度(摩爾％)的平均值設為F_100?400nm時，F_0?10nm/F_100?400nm≥3，并且所述與半導體元件形成面相反側的玻璃表面的表面粗糙度Ra為0.3nm以上。

技術領域

本發明涉及顯示器用玻璃基板、以及顯示器用玻璃基板的制造方法。

背景技術

在平板顯示器(FPD)中，將通過在玻璃基板上形成透明電極、半導體元件等而得到的材料用作基板。例如，在液晶顯示器(LCD)中，將通過在玻璃基板上形成透明電極、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)等而得到的材料用作基板。

在玻璃基板上的透明電極、半導體元件等的形成在通過真空吸附將玻璃基板的與半導體元件形成面相反側的玻璃表面固定在吸附臺上的狀態下進行。然而，在將形成有透明電極、半導體元件等的玻璃基板從吸附臺剝離之時，玻璃基板發生帶電，發生TFT等半導體元件的靜電擊穿。

為了抑制剝離帶電的發生，進行如下的操作：對與吸附臺接觸的一側的玻璃基板的表面進行粗糙化處理，減小玻璃基板與吸附臺的接觸面積。作為粗面化處理的方法，已知例如利用大氣壓等離子體處理對玻璃基板的表面進行化學處理的方法(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2010/128673號

發明內容

發明所要解決的課題

然而，以往的方法沒有考慮玻璃基板與吸附臺的功函數之差，因此無法充分抑制剝離帶電的發生，有時會發生半導體元件的靜電擊穿。

本發明鑒于上述課題而完成，提供一種在從吸附臺剝離時不易發生剝離帶電的顯示器用玻璃基板、以及其制造方法。

用于解決課題的手段

本發明提供一種顯示器用玻璃基板，其特征在于，將從玻璃基板的與半導體元件形成面相反側的玻璃表面起算的深度0nm～10nm范圍內的氟濃度(摩爾％)的平均值設為F_0-10nm、將從該玻璃表面起算的深度100nm～400nm范圍內的氟濃度(摩爾％)的平均值設為F_100-400nm時，F_0-10nm/F_100-400nm≥3，并且上述與半導體元件形成面相反側的玻璃表面的表面粗糙度Ra為0.3nm以上。

另外，本發明提供一種顯示器用玻璃基板的制造方法，其具有對在熱處理裝置內被運送的板狀玻璃的一個表面供給含有氟化氫(HF)的氣體的步驟，其特征在于，

上述板狀玻璃的一個表面為玻璃基板的與半導體元件形成面相反側的玻璃表面，

上述含有HF的氣體中的HF濃度為0.5體積％～30體積％，

在供給上述含有HF的氣體時的玻璃表面溫度為500℃～900℃。

發明效果

本發明的顯示器用玻璃基板在從吸附臺剝離時不易發生剝離帶電。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式的顯示器用玻璃基板的制造方法的說明圖，是示出了熱處理裝置的一個構成例的示意圖。