[發明專利]異質結雙極晶體管

有效

• 申請號: 201810153959.7
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108461540B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 梅本康成;小屋茂樹;大部功
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/417
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種異質結雙極晶體管，其中，

在基板上形成有包含集電極層、p型的基極層以及n型的發射極層的層疊結構，

上述集電極層包含高濃度集電極層和低濃度集電極層，上述低濃度集電極層與上述高濃度集電極層相比摻雜濃度低，并且上述低濃度集電極層被配置在上述基極層與上述高濃度集電極層之間，

上述低濃度集電極層包含隨著遠離上述基極層而能帶隙變窄地變化的漸變集電極層，

上述基極層的半導體材料的電子親和力比上述漸變集電極層的能帶隙最大的位置處的半導體材料的電子親和力大，它們的差為0.15eV以下，

上述漸變集電極層由具有在使電場強度變化時，在某個電場強度下電子的移動速度示出峰值的特性的半導體材料形成，

由上述漸變集電極層的能帶隙的變化引起而作用于電子的偽電場的強度是電子的移動速度示出峰值的電場強度亦即峰值電場強度的0.3倍以上1.8倍以下。

2.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述基極層的半導體材料的電子親和力比上述漸變集電極層的能帶隙最大的位置處的半導體材料的電子親和力大，它們的差為0.09eV以下。

3.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述漸變集電極層的上述偽電場的強度為上述峰值電場強度的0.5倍以上1.3倍以下。

4.根據權利要求2所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述漸變集電極層的上述偽電場的強度為上述峰值電場強度的0.5倍以上1.3倍以下。

5.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層是n型摻雜濃度為3×10¹⁵cm^－3以下的n型半導體層、p型摻雜濃度為1×10¹⁵cm^－3以下的p型半導體層或者本征半導體層。

6.根據權利要求2所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層是n型摻雜濃度為3×10¹⁵cm^－3以下的n型半導體層、p型摻雜濃度為1×10¹⁵cm^－3以下的p型半導體層或者本征半導體層。

7.根據權利要求3所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層是n型摻雜濃度為3×10¹⁵cm^－3以下的n型半導體層、p型摻雜濃度為1×10¹⁵cm^－3以下的p型半導體層或者本征半導體層。

8.根據權利要求4所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層是n型摻雜濃度為3×10¹⁵cm^－3以下的n型半導體層、p型摻雜濃度為1×10¹⁵cm^－3以下的p型半導體層或者本征半導體層。

9.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層除了上述漸變集電極層以外，還包含能帶隙固定的半導體層。

10.根據權利要求2所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層除了上述漸變集電極層以外，還包含能帶隙固定的半導體層。

11.根據權利要求3所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層除了上述漸變集電極層以外，還包含能帶隙固定的半導體層。

12.根據權利要求4所述的異質結雙極晶體管，其中，

上述低濃度集電極層除了上述漸變集電極層以外，還包含能帶隙固定的半導體層。