[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201810153635.3
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108695276A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 磯亞紀良
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/42;H01L21/52
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;王穎

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

底板，接合有搭載了半導體芯片的層疊基板；以及

散熱器，隔著導熱膏和金屬環安裝于所述底板。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬環的中間孔設置于隔著所述底板與所述半導體芯片相對的部分，并在所述中間孔的部分填充有所述導熱膏。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬環由硬度與所述散熱器為相同程度的材料或硬度比所述散熱器低的材料形成。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬環由銅、鋁或含有銅和鋁中的一種以上金屬的合金形成。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底板包含在鎂或鎂合金中含有碳化硅的復合材料。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底板在與所述金屬環接觸的部分設置有不間斷的突起。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底板在與所述金屬環接觸的部分設置有不間斷的溝槽。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬環在與所述底板接觸的部分和與所述散熱器接觸的部分中的任一方或雙方設置有不間斷的突起。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬環的剖面為橢圓形。

10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，將搭載了半導體芯片的層疊基板接合于底板；

第二工序，在所述底板或散熱器涂布導熱膏；

第三工序，在所述底板或散熱器安裝厚度為所述導熱膏的厚度以下的金屬環；以及

第四工序，在所述底板與散熱器之間夾著所述導熱膏和所述金屬環安裝所述散熱器。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述金屬環具有突起，

所述突起的高度為所述金屬環的沒有突起的部分的厚度的一半以下，

所述金屬環的包含所述突起的厚度為所述導熱膏的厚度的1.5倍以下。