[發(fā)明專利]用于垂直半導(dǎo)體器件的精度提高的器件體系結(jié)構(gòu)和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810153423.5
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN108389807A
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T.E.哈林頓三世
• 申請（專利權(quán)）人: D3半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/525;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/112;H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78;H01L49/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn)

1.一種可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，包括：

第一垂直半導(dǎo)體器件；

與所述第一垂直半導(dǎo)體器件并聯(lián)連接的第二半導(dǎo)體器件的集合；并且

所述第二半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)具有激活鏈路，所述激活鏈路連接至所述第一垂直半導(dǎo)體器件，用于微調(diào)所述可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，還包括：

所述第二半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)具有隔離鏈路，所述隔離鏈路連接至所述第一垂直半導(dǎo)體器件，用于創(chuàng)建所述第二半導(dǎo)體器件的集合的級聯(lián)隔離；

其中，所述第二半導(dǎo)體器件的集合是第二垂直半導(dǎo)體器件的集合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)還包括：

連接至所述激活鏈路的電阻器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述激活鏈路是激光熔線。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述激活鏈路是電可編程熔線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述電可編程熔線具有非易失性存儲(chǔ)器元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述第一垂直半導(dǎo)體器件是場效應(yīng)器件。

8.一種可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，包括：

具有第一柵極端子、第一源極端子和第一漏極端子的第一垂直半導(dǎo)體器件；

具有第二柵極端子、第二源極端子和第二漏極端子的第二半導(dǎo)體器件；

所述第一垂直半導(dǎo)體器件與所述第二半導(dǎo)體器件并聯(lián)連接；以及

連接在所述第一柵極端子與所述第二柵極端子之間的隔離熔線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，還包括：

連接在所述第一源極端子與所述第二柵極端子之間的激活熔線；

其中，所述第二半導(dǎo)體器件是第二垂直半導(dǎo)體器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，還包括：

第三垂直半導(dǎo)體器件的集合；

所述第三垂直半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)具有第三柵極端子、第三源極端子以及第三漏極端子；

所述第三垂直半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)與所述第一垂直半導(dǎo)體器件并聯(lián)連接；

第二隔離熔線的集合，所述第二隔離熔線的集合中的每一個(gè)連接在所述第一柵極端子與所述第三垂直半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)第三柵極端子之間；以及

第二激活熔線的集合，所述第二激活熔線的集合中的每一個(gè)連接在所述第一源極端子與所述第三垂直半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)第三柵極端子之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，還包括：

第一電阻器的集合；并且

所述第一電阻器的集合中的每一個(gè)電阻器連接在所述第二隔離熔線的集合中的每一個(gè)與所述第三垂直半導(dǎo)體器件的集合中的每一個(gè)第三柵極端子之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，還包括：

連接在所述激活熔線與所述第二柵極端子之間的第一電阻器。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述第一垂直半導(dǎo)體器件是MOSFET器件并且所述第二垂直半導(dǎo)體器件是MOSFET器件。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述第一垂直半導(dǎo)體器件是IGBT器件并且所述第二垂直半導(dǎo)體器件是IGBT器件。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可微調(diào)垂直半導(dǎo)體器件，其中，所述第一垂直半導(dǎo)體器件是VDMOS并且所述第二垂直半導(dǎo)體器件是VDMOS器件。