[發明專利]一種用于調幅、調相以及射頻抵消的集成器件

有效

• 申請號: 201810152057.1
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN108400144B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 孟慶南
• 申請（專利權）人: 厚元技術（香港）有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張濤

1.一種用于調幅、調相以及射頻抵消的集成器件，其特征在于：包括中間層，位于中間層下表面的襯底，以及罩蓋中間層上表面的頂層；

所述中間層包含集成芯片，所述集成芯片由介質、微帶以及分立元器件集成實現合路器、延時器、耦合器、調幅器、調相器，所述的合路器、延時器、耦合器、2個或多個調幅器、2個或多個調相器以及控制器通過電路設計連接成具有調幅、調相以及射頻抵消的功能電路；

所述功能電路包括合路器、控制器、延時器、耦合器、2個或多個調幅器以及2個或多個調相器，并互相之間電路設計連接，以實現調幅、調相以及射頻抵消的功能；

所述功能電路通過設計分區、隔離和金屬屏蔽方式實現調幅、調相及抵消電路間的隔離；

所述頂層，用于封裝所述中間層以及屏蔽所述中間層產生的電磁干擾；

所述襯底，用于對所述中間層和所述頂層的支撐，所述中間層的散熱，封裝所述中間層，以及屏蔽所述中間層產生的電磁干擾；

所述集成芯片包括外部接口；

所述外部接口包括兩個射頻輸入端、兩個射頻輸出端以及控制端，所述兩個射頻輸入端分別為第一射頻輸入端和第二射頻輸入端，所述兩個射頻輸出端分別為第一射頻輸出端和第二射頻輸出端；

所述延時器的一端與所述第一射頻輸入端連接；

所述延時器的另一端與所述合路器的其中一個射頻輸入端連接，所述合路器的另一個射頻輸入端與所述調幅器的輸出端連接，所述調幅器的輸入端與所述調相器的輸出端連接，所述調相器的輸入端與所述第二射頻輸入端連接；

所述合路器的射頻輸出端與所述耦合器的輸入端連接，所述耦合器的輸出端與所述調幅器的輸入端連接，所述耦合器的耦合端與所述第一射頻輸出端連接，所述調幅器的輸出端與所述調相器的輸入端連接，所述調相器的輸出端與所述第二射頻輸出端連接；

所述控制器分別與兩個調幅器以及兩個調相器連接；

所述延時器、所述合路器、所述耦合器、所述控制器、兩個所述調幅器以及兩個所述調相器彼此之間進行分區和隔離設計，分區的方式為平面分區或多層設計中的上下層分區方式，隔離的方式為信號去耦合隔離、空間隔離、金屬罩隔離或填充屏蔽材料隔離方式。

2.如權利要求1所述的一種用于調幅、調相以及射頻抵消的集成器件，其特征在于：所述集成芯片的端口之間滿足隔離要求，所述第一射頻輸入端和所述第二射頻輸入端之間以及兩個所述射頻輸入端與兩個所述射頻輸出端之間均通過隔離件互相隔離；所述控制端與各射頻電路之間通過隔離件互相隔離。

3.如權利要求1所述的一種用于調幅、調相以及射頻抵消的集成器件，其特征在于：所述延時器、所述合路器以及所述耦合器均具有微波結構，在中間層由多層介質材料和銅箔微帶線設計實現；所述多層介質材料的介電常數、厚度和疊層及微帶線尺寸根據器件的頻率、帶寬和功率需要進行選擇與設計；

所述延時器的微波結構為單層微帶結構或疊層微帶結構；

所述合路器的微波結構為平面結構或空間結構；

所述耦合器的微波結構為平面結構或空間結構。

4.如權利要求1所述的一種用于調幅、調相以及射頻抵消的集成器件，其特征在于：所述調幅器為反射式調幅器或PIN二極管π型調幅器；

所述反射式調幅器包括3dB耦合器、PIN二極管、電容、電感以及電阻，所述3dB耦合器由多層介質材料和銅箔微帶線通過器件微波結構設計實現，并與PIN二極管、電容、電感以及電阻按照調幅電路結構集成為一體，且通過微帶連接，連接處位于所述中間層的上表面、下表面或上下表面或內部；

所述PIN二極管π型調幅器包括PIN二極管、MESFET器件、電容、電感以及電阻，PIN二極管、MESFET器件、電容、電感以及電阻按照調幅電路結構集成于所述中間層的上表面、下表面或上下表面或內部。