[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體分布調整方法

有效

• 申請號: 201810151742.2
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN108203816B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 佐佐木和男;齊藤均;山澤陽平;古屋敦城;內藤啟
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;謝弘

1.一種等離子體處理裝置，其用于對基板進行等離子體處理，所述等離子體處理裝置的特征在于，包括：

用于在等離子體生成區域內產生感應耦合等離子體的高頻天線；和

配置在所述等離子體生成區域與所述高頻天線之間，與主體容器絕緣的金屬窗，其中，

所述金屬窗由利用絕緣體相互絕緣的多個金屬窗構成，

所述主體容器中，由所述多個金屬窗構成的金屬窗分隔配置所述高頻天線的天線室和包含所述等離子體生成區域的處理室，

所述等離子體是通過由所述高頻天線在所述金屬窗感應產生電流，由所述電流在所述等離子體生成區域形成感應電場來產生的，

為了降低所述金屬窗的電位，所述多個金屬窗分別通過一個接地點經由導電性部件接地。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述一個接地點設置于所述多個金屬窗各自的外周側或內周側的邊的中央。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述一個接地點經由電阻接地。

4.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述一個接地點通過與所述天線室的側壁連接而接地。

5.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個金屬窗中的至少一個金屬窗還通過另一個接地點接地，由此通過兩個接地點接地。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個金屬窗與具有矩形形狀的所述基板對應地配置，

所述兩個接地點設置于所述多個金屬窗中在與所述基板的長邊對應的位置設置的金屬窗。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述兩個接地點設置于所述多個金屬窗中的各個金屬窗的、不設置所述兩個接地點時流過相對較多的渦電流的區域。

8.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個金屬窗中相鄰的兩個金屬窗經由電容器連接，并且分別設置于所述兩個金屬窗的所述一個接地點被電連接而形成有電流環電路。

9.如權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電容器的電容被調整為使得所述電流環電路的電抗成為負性。

10.如權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電容器連接到所述多個金屬窗中、在與所述基板的角部對應的位置設置的金屬窗的與所述角部對應的位置。

11.如權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述一個接地點與所述天線室的頂壁連接。

12.一種等離子體處理裝置的等離子體分布調整方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置通過由與主體容器絕緣且利用絕緣體相互絕緣的多個金屬窗構成的金屬窗將等離子體生成區域和高頻天線隔離，并通過使高頻電流流過所述高頻天線，由在所述金屬窗感應的產生電流在所述等離子體生成區域形成感應電場，產生感應耦合等離子體，對基板進行等離子體處理，

在所述等離子體分布調整方法中，為了降低所述金屬窗的電位，將所述多個金屬窗分別通過一個接地點經由導電性部件接地。

13.如權利要求12所述的等離子體分布調整方法，其特征在于：

所述多個金屬窗中至少一個金屬窗還通過另一個接地點接地，由此通過兩個接地點接地。

14.如權利要求13所述的等離子體分布調整方法，其特征在于：

通過調整所述兩個接地點的間隔來調整在所述一個金屬窗的所述兩個接地點之間流過的電流。