[發(fā)明專利]在堆疊體開口中形成存儲器單元薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810151699.X | 申請日： | 2018-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN108538846B | 公開（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A.巴拉斯卡;L.龐;Y.張;C-H.盧;董穎達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 桑迪士克科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01L27/1157 | 分類號： | H01L27/1157;H01L27/1158;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邱軍 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 堆疊 開口 形成 存儲器 單元 薄膜 | ||
1.一種制造非易失性儲存器的方法，所述方法包括：
通過第一材料和第二材料的交替層的堆疊體形成開口，所述開口具有側(cè)壁，所述開口延伸至半導(dǎo)體基板；
在所述開口與所述第一材料和所述第二材料的所述交替層相鄰的側(cè)壁之上形成硅氮化物的保護(hù)層；
清洗所述開口中暴露的所述半導(dǎo)體基板的部分，從在所述開口中暴露的所述半導(dǎo)體基板的所述部分移除氧化物，在使所述硅氮化物的保護(hù)層暴露且在所述硅氮化物的保護(hù)層在與所述第一材料和所述第二材料的所述交替層相鄰的所述側(cè)壁之上在位的情況下進(jìn)行所述移除氧化物；
在清洗所述半導(dǎo)體基板的所述部分之后，將所述開口中的所述硅氮化物的保護(hù)層的暴露部分轉(zhuǎn)化為氧化物；
在清洗所述半導(dǎo)體基板之后，在所述開口中形成存儲器單元薄膜的層；以及
用導(dǎo)電材料替換所述第一材料，其中轉(zhuǎn)化為所述氧化物的所述硅氮化物的部分是所述導(dǎo)電材料和所述存儲器單元薄膜之間的阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元薄膜包括電荷儲存層，其中轉(zhuǎn)化為所述氧化物的所述硅氮化物位于所述導(dǎo)電材料和所述電荷儲存層之間的阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二材料是硅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一材料是硅氮化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一材料是多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中從所述半導(dǎo)體基板的部分移除所述氧化物包括在所述硅氮化物的保護(hù)層在與所述第一材料和所述第二材料的所述交替層相鄰的所述側(cè)壁之上暴露且在位的情況下進(jìn)行稀釋的氫氟酸(DHF)清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
使用所述半導(dǎo)體基板作為半導(dǎo)體區(qū)域的外延生長的晶體基板，在所述開口中形成所述半導(dǎo)體區(qū)域，其中在形成所述半導(dǎo)體區(qū)域之后形成所述存儲器單元薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在從所述半導(dǎo)體基板的部分移除所述氧化物之后形成存儲器單元薄膜的層包括：
在所述開口中形成電荷俘獲層。
9.一種制造三維存儲器陣列的方法，所述方法包括：
通過犧牲材料和硅氧化物的交替層的堆疊體形成存儲器孔，所述存儲器孔各自具有側(cè)壁，所述存儲器孔延伸至晶體半導(dǎo)體基板；
在所述存儲器孔中的每一個的側(cè)壁之上形成硅氮化物的保護(hù)層；
移除所述存儲器孔中的覆蓋所述晶體半導(dǎo)體基板的所述硅氮化物的保護(hù)層的部分；
從暴露在所述存儲器孔中的所述晶體半導(dǎo)體基板移除氧化物，在為了移除所述氧化物的過程，所述硅氮化物的保護(hù)層在所述存儲器孔的側(cè)壁之上在位且使所述硅氮化物的保護(hù)層暴露的情況下進(jìn)行所述氧化物的移除；
在從所述晶體半導(dǎo)體基板移除所述氧化物之后，在所述存儲器孔中形成晶體半導(dǎo)體且與所述晶體半導(dǎo)體基板直接接觸；
將所述存儲器孔的每一個中所述硅氮化物的保護(hù)層的未被所述晶體半導(dǎo)體覆蓋的部分轉(zhuǎn)化為氧化物；
在所述存儲器孔中的一些中形成存儲器單元薄膜的層；以及
用控制柵極的導(dǎo)電材料替換所述犧牲材料，其中轉(zhuǎn)化為所述氧化物的所述硅氮化物用作所述導(dǎo)電材料和所述存儲器單元薄膜之間的阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成存儲器單元薄膜的層包括形成電荷儲存層，所述形成電荷儲存層包括形成存儲器單元的電荷俘獲區(qū)域的電介質(zhì)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成存儲器單元薄膜的層包括形成電荷儲存層，所述形成電荷儲存層包括形成存儲器單元的浮置柵極的導(dǎo)電層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
