[發明專利]用于襯底處理室的溫度受控的間隔件在審
| 申請號: | 201810151415.7 | 申請日: | 2018-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN108470669A | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 談太德;邱華潭;瑞恩·森夫 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 樊英如;張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 側延伸部 環形主體 間隔件 下室 噴頭 豎直部件 襯底處理室 處理區域 支撐件 襯底 上室 受控 加熱元件 徑向遠離 噴頭設置 上室壁 嵌入 外部 | ||
1.一種用于處理襯底的系統,所述系統包括:
具有限定下室部分的室壁并具有上室部分的室,所述上室部分具有等離子體室;
設置在所述上室部分的所述等離子體室和處理區域之間的噴頭;
設置在所述下室部分中的基座,所述基座具有當所述襯底存在時用于所述襯底的支撐件,所述基座的所述支撐件被構造成定位在所述噴頭下方,使得所述處理區域被限定在所述基座的所述支撐件與所述噴頭之間;
設置在所述噴頭和所述下室部分的所述室壁之間的間隔件,所述間隔件由以下限定:
具有豎直部件的環形主體,所述豎直部件限定圍繞所述處理區域的側壁;
所述環形主體包括設置在所述處理區域外側的側延伸部,所述側延伸部徑向遠離所述豎直部件突出;
所述環形主體包括形成在所述側延伸部中的凹槽,所述凹槽構造成圍繞所述環形主體的所述豎直部件;以及
加熱元件,其嵌入所述側延伸部的所述凹槽中。
2.根據權利要求1所述的系統,其中所述加熱元件在第一端連接到電源并且在第二端連接到電接地。
3.根據權利要求1所述的系統,其中,所述加熱元件被配置為在所述環形主體上以基本對稱分布傳導熱量,使得所述豎直部件將受控熱分布暴露于圍繞所述處理區域的所述側壁。
4.根據權利要求1所述的系統,其中所述凹槽形成在所述側延伸部的頂表面上。
5.根據權利要求1所述的系統,其中,所述間隔件的所述環形主體沿著所述噴頭的外周邊連接到所述噴頭。
6.根據權利要求1所述的系統,其中所述豎直部件的面向所述處理區域的所述側壁與所述基座的所述支撐件的外邊緣間隔開以在其間限定間隙。
7.根據權利要求6所述的系統,其中所述間隙的尺寸在約0.20英寸至約0.50英寸之間。
8.根據權利要求1所述的系統,其還包括切口,所述切口沿所述環形主體的外側壁在所述側延伸部的正上方限定,所述切口接近在所述側延伸部上限定的所述凹槽。
9.根據權利要求1所述的系統,其還包括唇部,所述唇部從所述側延伸部的外側壁徑向向外延伸,所述唇部被構造成位于限定在所述上室部分的室壁的底側上的延伸唇部的頂部上,其中所述延伸唇部從所述室壁的底側徑向向內突出。
10.根據權利要求9所述的系統,其中所述上室部分的所述室壁基本上圍繞所述間隔件的所述側延伸部。
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