[發明專利]薄膜與其形成方法及銅箔基板有效
| 申請號： | 201810151259.4 | 申請日： | 2018-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN108503866B | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 陳孟歆;林志祥;邱仁軍 | 申請（專利權）人： | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L67/04;C08G63/06;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/09;B32B15/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 與其 形成 方法 銅箔 | ||
1.一種薄膜，其包括：
一聚合物，該聚合物由(a)對羥基苯甲酸；(b)6-羥基-2-萘甲酸；以及(c)支鏈型單體反應形成，
其中(c)支鏈型單體的結構為：或上述的組合，R為芳基、雜芳基或環烷基，每一R1各自獨立地為-OH、-NH2或-COOH；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比例介于50:50至90:10之間；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的總和與(c)支鏈型單體的摩爾比介于100:0.25至100:0.5之間，該聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之間。
2.根據權利要求1所述的薄膜，其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比例介于60:40至80:20之間。
3.根據權利要求1所述的薄膜，其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比例介于70:30至80:20之間。
4.根據權利要求1所述的薄膜，其中(c)支鏈型單體為均苯三酸。
5.根據權利要求1所述的薄膜，其熔融強度介于1.4cN至1.9cN之間。
6.根據權利要求1所述的薄膜，其延伸率介于13％至25％之間。
7.根據權利要求1所述的薄膜，其斷裂強度介于8kgf/mm2至10kgf/mm2之間。
8.一種薄膜的形成方法，包括：
取(a)對羥基苯甲酸；(b)6-羥基-2-萘甲酸；以及(c)支鏈型單體進行聚合反應；
熔融該聚合物以成一薄膜；以及
熱處理該薄膜，
其中(c)支鏈型單體的結構為：或上述的組合，R為芳基、雜芳基或環烷基，每一R1各自獨立地為-OH、-NH2或-COOH；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比例介于50:50至90:10之間；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的總和與(c)支鏈型單體的摩爾比介于100:0.25至100:0.5之間，其中該聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之間。
9.根據權利要求8所述的薄膜的形成方法，其中該聚合反應更包括加入酸酐化合物，該酸酐化合物的酸酐數與(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸總和的摩爾比介于80:100至120:100之間。
10.根據權利要求8所述的薄膜的形成方法，其中該聚合反應的溫度介于280℃至330℃之間。
11.根據權利要求8所述的薄膜的形成方法，其中該熔融的溫度介于100℃至160℃之間。
12.根據權利要求8所述的薄膜的形成方法，其中該熱處理的溫度介于250℃至300℃之間。
13.一種銅箔基板，包括：
一薄膜；以及
一銅箔，貼合至該薄膜上，
其中該薄膜包括：一聚合物，該聚合物由(a)對羥基苯甲酸；(b)6-羥基-2-萘甲酸；以及(c)支鏈型單體反應形成，
其中(c)支鏈型單體的結構為：或上述的組合，R為芳基、雜芳基或環烷基，每一R1各自獨立地為-OH、-NH2或-COOH；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比例介于50:50至90:10之間；其中(a)對羥基苯甲酸與(b)6-羥基-2-萘甲酸的總和與(c)支鏈型單體的摩爾比介于100:0.25至100:0.5之間，該聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之間。
14.根據權利要求13所述的銅箔基板，其中(c)支鏈型單體為均苯三酸。
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