[發(fā)明專利]包含非自對準(zhǔn)水平和垂直控制柵極的存儲器單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810150720.4
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN108198816B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·拉羅薩;S·尼埃爾;J·德拉洛;A·雷尼耶
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11524;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/788;G11C16/04;G11C16/14;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/3213
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;鄭振

1.一種存儲器單元，包括：

垂直選擇柵極，位于襯底中的溝槽中；

在所述襯底上的浮置柵極，所述浮置柵極具有在所述襯底的第一表面下延伸的突起，其中所述垂直選擇柵極包括側(cè)壁，并且所述突起沿著所述側(cè)壁延伸；以及

在所述浮置柵極上的水平控制柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，還包括在所述突起和所述垂直選擇柵極的所述側(cè)壁之間的介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器單元，其中所述介電層也位于所述襯底和位于所述溝槽中的所述垂直選擇柵極之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器單元，其中所述介電層包括在所述垂直選擇柵極的下部和所述襯底之間延伸的較薄區(qū)域以及在所述突起和所述垂直選擇柵極之間延伸的較厚區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中所述突起在所述介電層的所述較厚區(qū)域內(nèi)延伸，并且具有與所述垂直選擇柵極的一部分相對的面。

6.一種存儲器器件，包括：

襯底；

位于所述襯底中的溝槽；

晶體管，所述晶體管包括：

位于所述襯底中的所述溝槽中的第一柵極；

位于所述襯底上的第二柵極，所述第二柵極具有延伸到所述溝槽中的突起，所述第二柵極為浮置柵極，其中所述第一柵極包括側(cè)壁，并且所述突起沿著所述側(cè)壁延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述晶體管包括在所述第二柵極上的第三柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，還包括在所述襯底上位于所述溝槽內(nèi)的第一介電層，所述第一介電層在所述襯底和所述第一柵極之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述第一介電層鄰近所述突起的側(cè)面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，還包括第二介電層和第三柵極，所述第二介電層位于所述第三柵極和所述第二柵極之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，還包括介電層，所述介電層包括在所述第一柵極的下部和所述襯底之間延伸的較薄區(qū)域以及在所述第一柵極的上部和所述襯底之間延伸的較厚區(qū)域，其中所述突起在所述介電層的所述較厚區(qū)域中延伸。

12.一種存儲器器件，包括：

襯底，具有表面；

形成在所述襯底中的第一柵極；

形成在所述第一柵極和所述襯底上的第二柵極，所述第二柵極包括第一突起，所述第一突起延伸經(jīng)過所述襯底的表面進入所述襯底，所述第二柵極為浮置柵極，其中所述第一柵極包括第一側(cè)壁，并且所述第一突起沿著所述第一側(cè)壁延伸；

形成在所述第一柵極和所述襯底上的第三柵極，所述第三柵極包括第二突起，所述第二突起延伸經(jīng)過所述襯底的表面進入所述襯底，其中所述第一柵極包括第二側(cè)壁，并且所述第二突起沿著所述第二側(cè)壁延伸；

在所述第二柵極上的第一控制柵極；以及

在所述第三柵極上的第二控制柵極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，還包括：

形成在所述第二柵極和所述第三柵極之間的接觸件，所述接觸件形成在所述第一柵極上。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，還包括：

第一介電層，所述第一介電層將所述第一柵極與所述襯底分開以及將所述第一突起和所述第二突起與所述第一柵極分開。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，還包括：

第二介電層，所述第二介電層位于所述第二柵極和第三柵極與所述襯底之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其中所述第二介電層位于所述第一突起和第二突起與所述第一介電層之間。