[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810150243.1
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108470732B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 妹尾賢
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H03K17/567
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種半導體裝置，其中，具有：

半導體基板；

上部主電極，配置在所述半導體基板的上部；

感測陽極電極，配置在所述半導體基板的上部；

電阻層，配置在所述半導體基板的上部，具有比所述感測陽極電極高的電阻率；及

下部主電極，配置在所述半導體基板的下部，

所述半導體基板具有開關元件和感測二極管，

所述開關元件連接在所述上部主電極與所述下部主電極之間，

所述感測二極管具有經由所述電阻層與所述感測陽極電極連接的p型的第一陽極區和與所述下部主電極連接的n型的第一陰極區，

所述第一陽極區與所述電阻層相接，

所述電阻層由多晶硅構成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

所述感測陽極電極具有供金屬線進行鍵合的焊盤，

所述電阻層具有在所述焊盤的下部與所述感測陽極電極連接的第一部分和從所述第一部分延伸至所述焊盤的外側的第二部分，

所述第一陽極區未配置在所述焊盤的下部，且所述第一陽極區經由所述第二部分與所述感測陽極電極連接。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

所述電阻層由多晶硅構成。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述半導體基板具有n型的漂移區，該漂移區配置在所述第一陽極區與所述第一陰極區之間，且n型雜質濃度比所述第一陰極區低，

所述電阻層的電阻率比所述漂移區的電阻率高。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，

所述半導體基板還具有續流二極管，

所述續流二極管具有與所述上部主電極連接的p型的第二陽極區和與所述下部主電極連接的n型的第二陰極區。