[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810150065.2
• 申請(qǐng)日: 2018-02-13
• 公開（公告）號(hào): CN108461400B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野敦;龜田賢治;高澤裕真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.半導(dǎo)體器件的制造方法，具有：

將非同時(shí)地進(jìn)行下述工序的循環(huán)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)，從而在襯底上形成包含硅、氧、碳及氮的第一膜的工序，非同時(shí)地進(jìn)行下述工序的所述循環(huán)包括：對(duì)襯底同時(shí)供給第一氨基硅烷和氧化劑，從而形成包含硅、氧、碳及氮的第一層的工序，和于500℃以上且650℃以下的第一溫度下對(duì)所述第一層進(jìn)行第一改質(zhì)處理從而使所述第一層中包含的雜質(zhì)從所述第一層脫離的工序；和

于比所述第一溫度高的第二溫度下對(duì)所述第一膜進(jìn)行第二改質(zhì)處理從而將通過進(jìn)行所述第一改質(zhì)處理而未能完全除去的雜質(zhì)從所述第一膜中除去的工序，其中，所述第二溫度為700℃以上且800℃以下或800℃以上且1200℃以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，進(jìn)一步具有：

對(duì)所述襯底供給不同于所述第一氨基硅烷的第二氨基硅烷或烷氧基硅烷的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在形成所述第一層的工序中，同時(shí)供給所述第二氨基硅烷或所述烷氧基硅烷、所述第一氨基硅烷、和所述氧化劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，進(jìn)一步具有：

將非同時(shí)地進(jìn)行下述工序的循環(huán)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)，從而在所述襯底上形成包含硅、氧、碳及氮的第二膜的工序，非同時(shí)地進(jìn)行下述工序的所述循環(huán)包括：同時(shí)供給所述第二氨基硅烷或所述烷氧基硅烷、和氧化劑，從而形成包含硅、氧、碳及氮的第二層的工序，和于所述第一溫度下對(duì)所述第二層進(jìn)行第一改質(zhì)處理的工序；和

交替進(jìn)行形成所述第一膜的工序和形成所述第二膜的工序，從而在所述襯底上形成所述第一膜與所述第二膜交替層疊而成的層疊膜的工序，

在進(jìn)行所述第二改質(zhì)處理的工序中，對(duì)所述層疊膜進(jìn)行所述第二改質(zhì)處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一層的組成不同于所述第二層的組成，所述第一膜的組成不同于所述第二膜的組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一層的碳濃度、氮濃度、或者碳濃度對(duì)氮濃度之比不同于所述第二層的碳濃度、氮濃度、或者碳濃度對(duì)氮濃度之比，所述第一膜的碳濃度、氮濃度、或者碳濃度對(duì)氮濃度之比不同于所述第二膜的碳濃度、氮濃度、或者碳濃度對(duì)氮濃度之比。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第一膜的工序中，連續(xù)供給所述氧化劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第一膜的工序中，連續(xù)供給所述氧化劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第二膜的工序中，連續(xù)供給所述氧化劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述層疊膜的工序中，連續(xù)供給所述氧化劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第一膜的工序中，在供給所述第一氨基硅烷之前，先開始所述氧化劑的供給。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第一膜的工序中，在供給所述第一氨基硅烷之前，先開始所述氧化劑的供給。

13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述第二膜的工序中，在供給所述第二氨基硅烷或所述烷氧基硅烷之前，先開始所述氧化劑的供給。

14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一氨基硅烷的一分子中的氨基配體的數(shù)量不同于所述第二氨基硅烷的一分子中的氨基配體的數(shù)量。