[發(fā)明專(zhuān)利]形成安裝在基板上的半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810150056.3
• 申請(qǐng)日: 2018-02-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461408A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江森正臣
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括利用釬焊材料安裝在安裝基板上的半導(dǎo)體芯片，所述方法包括以下步驟：

制備包括頂面和與所述頂面相反的背面的基板，所述頂面上具有外延層；

在所述基板的整個(gè)所述背面上沉積第一金屬層，所述第一金屬層含有鎳(Ni)和在所述第一金屬層的頂部中的金屬材料，所述金屬材料相對(duì)于所述釬焊材料表現(xiàn)出浸潤(rùn)性；

使所述第一金屬層鍍敷有第二金屬層，從而使所述第一金屬層的與劃分所述半導(dǎo)體芯片的刻線對(duì)應(yīng)的部分露出；

在所述第二金屬層上以及所述刻線中的從所述第二金屬層露出的所述第一金屬層上沉積第三金屬層，所述第三金屬層含有鎳(Ni)和鈦(Ti)中的至少一者；

去除所述第三金屬層，從而將所述第一金屬層留在所述刻線中并將所述第二金屬層留在除所述刻線以外的區(qū)域中；

沿所述刻線切割所述基板，從而形成所述半導(dǎo)體芯片；以及

利用所述釬焊材料將所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述安裝基板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，鍍敷所述背面的步驟包括：通過(guò)將所述第一金屬層作為晶種金屬而電鍍出由金(Au)制成的所述第二金屬層的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，沉積所述第一金屬層的步驟包括：依次沉積鎳(Ni)和鉻(Cr)的合金以及所述合金上的金(Au)的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中，沉積所述第一金屬層的步驟包括：依次沉積50至200nm的厚度的所述合金和50至200nm的厚度的所述合金上的金的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中，沉積所述第三金屬層的步驟包括：沉積10至50nm的厚度的鎳(Ni)和鉻(Cr)的合金的步驟，并且

去除所述第三金屬層的步驟包括：使用含碘(I)的刻蝕劑刻蝕所述第三金屬層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中，沉積所述第三金屬層的步驟包括：沉積10至50nm的厚度的鈦(Ti)的步驟，并且

去除所述第三金屬層的步驟包括：使用含氟(F)的活性氣體刻蝕所述第三金屬層的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，沉積所述第一金屬層的步驟包括：依次沉積鎳(Ni)和鉻(Cr)的合金以及所述合金上的銅(Cu)的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

其中，沉積所述第一金屬層的步驟包括：依次沉積50至200nm的厚度的所述合金和50至200nm的厚度的所述銅(Cu)的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

其中，沉積所述第三金屬層的步驟包括：沉積10至50nm的厚度的鎳(Ni)和鉻(Cr)的合金的步驟，并且

去除所述第三金屬層的步驟包括：使用氬離子銑削所述第三金屬層的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

其中，沉積所述第三金屬層的步驟包括：沉積10至50nm的厚度的鈦(Ti)的步驟，并且

去除所述第三金屬層的步驟包括：使用含氟(F)的活性氣體刻蝕所述第三金屬層的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟包括：使用金-錫(AuSn)的共晶合金安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟包括：使用導(dǎo)電樹(shù)脂安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，鍍敷所述第二金屬層的步驟包括：使所述第一金屬層電鍍有5至10μm的厚度的金(Au)的步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

還包括在沉積所述第一金屬層之前的以下步驟：

研磨所述基板的背面直至厚度為100±10μm，以及

形成從所述基板的背面貫穿到所述基板的頂面的過(guò)孔，

其中，所述第一金屬層、所述第二金屬層以及所述第三金屬層覆蓋所述過(guò)孔的內(nèi)側(cè)，并且

去除所述第三金屬層的步驟包括：將所述第三金屬層留在所述過(guò)孔內(nèi)和所述過(guò)孔周?chē)牟襟E。