[發明專利]半導體存儲器系統及其操作方法在審
| 申請號: | 201810149757.5 | 申請日: | 2018-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN108986867A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 金又現 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;趙赫 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制器 存儲器單元 控制存儲器 讀取操作 計數單元 閾值電壓 字線 半導體存儲器系統 半導體設備 存儲器裝置 寫入操作 對聯 | ||
1.一種半導體設備,其包括:
存儲器裝置,包括至少一條字線;以及
控制器,適于控制所述存儲器裝置以執行寫入操作和讀取操作,
其中所述控制器包括計數單元,所述計數單元適于針對各個閾值電壓對聯接到所述字線的存儲器單元的數量進行計數,
其中所述控制器基于針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量來控制所述存儲器裝置執行讀取操作。
2.根據權利要求1所述的半導體設備,其中所述控制器進一步包括映射單元,所述映射單元適于將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量轉換為累計單元數量的范圍值,并將所述累計單元數量的范圍值映射到信息位。
3.根據權利要求2所述的半導體設備,其中所述信息位具有值,所述值表示所述累計單元數量的范圍值中的一個范圍值。
4.根據權利要求2所述的半導體設備,其中所述映射單元將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量映射到表中的信息位,所述表具有多個累計單元數量的范圍值和多個所述信息位。
5.根據權利要求4所述的半導體設備,其中所述映射單元通過二進制搜索方案將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量映射到所述信息位來生成所述表。
6.根據權利要求4所述的半導體設備,
其中所述控制器將聯接到所述字線并根據第一讀取電壓而導通的存儲器單元的數量計數為第一值,并且
其中所述控制器進一步包括讀取偏壓確定單元,所述讀取偏壓確定單元適于當利用所述第一讀取電壓的讀取操作失敗時,基于所述第一值和在所述表中包括的所述多個累計單元數量的范圍值中、對應于所述第一讀取電壓的累計單元數量的范圍值,來確定第二讀取電壓。
7.根據權利要求6所述的半導體設備,其中所述讀取偏壓確定單元確定所述第二讀取電壓,使得所述第一值與對應于所述第一讀取電壓的累計單元數量的范圍值的最大值之間的差異,或者
所述第一值與對應于所述第一讀取電壓的累計單元數量的范圍值的最小值之間的差異,
低于預定閾值。
8.根據權利要求6所述的半導體設備,
其中當所述第一值大于對應于所述第一讀取電壓的累計單元數量的范圍值的最大值時,所述讀取偏壓確定單元降低所述第二讀取電壓,并且
其中當所述第一值小于對應于所述第一讀取電壓的累計單元數量的范圍值的最小值時,所述讀取偏壓確定單元增加所述第二讀取電壓。
9.根據權利要求6所述的半導體設備,其中所述第一讀取電壓是默認讀取電壓或預定讀取電壓。
10.一種控制器的操作方法,所述方法包括:
針對各個閾值電壓,對聯接到字線的存儲器單元的數量進行計數;以及
基于針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量來執行讀取操作。
11.根據權利要求10所述的方法,其進一步包括第一步驟,所述第一步驟將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量轉換為累計單元數量的范圍值,并將所述累計單元數量的范圍值映射到信息位。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述信息位具有值,所述值表示所述累計單元數量的范圍值中的一個范圍值。
13.根據權利要求11所述的方法,其中所述第一步驟包括將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量映射到表中的信息位,所述表具有多個累計單元數量的范圍值和多個所述信息位。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述第一步驟進一步包括通過二進制搜索方案將針對所述各個閾值電壓的所述存儲器單元的計數數量映射到所述信息位來生成所述表。
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