[發(fā)明專利]一種提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810149630.3
• 申請(qǐng)日: 2018-02-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108486658A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝輝;趙有文;董志遠(yuǎn);劉京明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鼎泰芯源科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): C30B33/02
• 分類號(hào): C30B33/02;C30B29/40
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;李玉琦

1.一種提高半絕緣磷化銦單晶電阻率均勻性的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：對(duì)半絕緣磷化銦單晶進(jìn)行表面處理；

步驟S2：選取與半絕緣磷化銦單晶的尺寸匹配的石英管，進(jìn)行清洗烘干待用；

步驟S3：將半絕緣磷化銦單晶放入該石英管內(nèi)，并放入一定量的高純鐵粉和紅磷；

步驟S4：對(duì)裝有半絕緣磷化銦單晶及高純鐵粉和紅磷的石英管進(jìn)行抽真空，然后封口；

步驟S5：將裝有半絕緣磷化銦單晶及高純鐵粉和紅磷的石英管放入高溫爐內(nèi)，在磷化鐵氣氛下高溫退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S1中，采用有機(jī)溶劑并結(jié)合超聲波對(duì)半絕緣InP單晶進(jìn)行清洗，并用去離子水沖洗干凈，甩干備用。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高半絕緣磷化銦單晶電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為異丙醇、石油醚、丙酮中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S2中，對(duì)石英管的清洗包括采用王水浸泡所述石英管，然后用去離子水沖洗干凈并烘干備用。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S5中，在960～1060度及磷化鐵氣氛下，對(duì)半絕緣InP單晶片高溫退火90～110小時(shí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S4中，在抽真空之前，先將用王水浸泡并用去離子水沖洗干凈并烘干的封泡放置于石英管管口，其中，封泡是指外徑小于石英管內(nèi)徑的一段封閉的管體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S4中，采用真空泵對(duì)石英管內(nèi)抽真空。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S4中，抽真空后，采用氫氧焰燒結(jié)石英管進(jìn)行封口。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S3中，在石英管內(nèi)放入純度為5N的鐵粉和純度為6N的紅磷。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法，其特征在于，在步驟S3中，高純鐵粉和紅磷的質(zhì)量占比均在萬(wàn)分之三～萬(wàn)分之六之間。