[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810149169.1
• 申請(qǐng)日: 2018-02-13
• 公開（公告）號(hào): CN108630695B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 清水峻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11529
• 分類號(hào): H01L27/11529
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實(shí)施方式提供一種使晶體管的動(dòng)作速度提高的存儲(chǔ)裝置。實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置具備：多個(gè)第1電極層，在第1方向上積層；兩個(gè)以上的第2電極層，在所述第1方向上積層在所述第1電極層上；信道層，在所述第1方向上貫穿所述第1電極層及所述第2電極層；以及電荷累積層，設(shè)置在所述第1電極層與所述信道層之間。所述第2電極層的所述第1方向的層厚比所述第1電極層的所述第1方向的層厚更厚。

[相關(guān)申請(qǐng)]

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2017-49984號(hào)(申請(qǐng)日：2017年3月15日)作為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及一種存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

包含三維配置的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置的開發(fā)不斷取得進(jìn)展。例如，NAND((Not-And，與非))型存儲(chǔ)裝置包含：多個(gè)電極層，積層在源極層上；信道層，將多個(gè)電極層在積層方向上貫穿；以及存儲(chǔ)層，設(shè)置在多個(gè)電極層與信道層之間。存儲(chǔ)單元分別配置在信道層貫穿多個(gè)電極層的部分，通過信道層與電極層之間的電位差進(jìn)行動(dòng)作。在這種構(gòu)成的存儲(chǔ)裝置中，在沿著信道層配置的存儲(chǔ)單元的兩側(cè)配置晶體管，控制信道層與電極層之間的電位差。然而，如果存儲(chǔ)裝置的集成度變高，那么存在晶體管的接通/斷開(on/off)動(dòng)作產(chǎn)生延遲而引起存儲(chǔ)單元的誤動(dòng)作的情況。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種使晶體管的動(dòng)作速度提高的存儲(chǔ)裝置。

實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置具備：多個(gè)第1電極層，在第1方向上積層；兩個(gè)以上的第2電極層，在所述第1方向上積層在所述第1電極層上；信道層，在所述第1方向上貫穿所述第1電極層及所述第2電極層；以及電荷累積層，設(shè)置在所述第1電極層與所述信道層之間。所述第2電極層的所述第1方向的層厚比所述第1電極層的所述第1方向的層厚更厚。

附圖說明

圖1是示意性地表示實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置的立體圖。

圖2(a)及(b)是表示實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置的示意圖。

圖3(a)及(b)、圖4(a)及(b)、圖5(a)及(b)、圖6(a)及(b)是表示實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置的制造過程的示意剖視圖。

圖7是表示實(shí)施方式的第1變化例的存儲(chǔ)裝置的示意剖視圖。

圖8是表示實(shí)施方式的第2變化例的存儲(chǔ)裝置的示意剖視圖。

圖9是表示實(shí)施方式的第3變化例的存儲(chǔ)裝置的示意剖視圖。

圖10是表示實(shí)施方式的第4變化例的存儲(chǔ)裝置的示意剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，一邊參照附圖，一邊對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說明。對(duì)附圖中的相同部分標(biāo)注相同編號(hào)而適當(dāng)省略其詳細(xì)說明，并針對(duì)不同部分進(jìn)行說明。此外，附圖是示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小比率等未必與實(shí)物相同。另外，即便在表示相同部分的情況下，有時(shí)也根據(jù)附圖而將相互的尺寸或比率不同地表示。

進(jìn)而，使用各圖中所示的X軸、Y軸及Z軸來說明各部分的配置及構(gòu)成。X軸、Y軸及Z軸相互正交，分別表示X方向、Y方向及Z方向。另外，存在將Z方向設(shè)為上方，將Z方向的相反方向設(shè)為下方而進(jìn)行說明的情況。

圖1是示意性地表示實(shí)施方式的存儲(chǔ)裝置1的立體圖。存儲(chǔ)裝置1例如為NAND型非易失性存儲(chǔ)裝置，包含三維配置的存儲(chǔ)單元。

像圖1所示那樣，存儲(chǔ)裝置1具備導(dǎo)電層(以下稱為源極層10)、字線20、選擇柵極30a、選擇柵極30b及選擇柵極40。選擇柵極30a及30b排列配置在字線20中的最上層20a之上。選擇柵極40配置在源極層10與字線20中的最下層20b之間。