[發(fā)明專利]長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件、其制造方法及核反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)構(gòu)件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810148840.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108863418B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 須山章子;鵜飼勝;內(nèi)橋正幸;垣內(nèi)一雄;日置秀明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝;東芝能源系統(tǒng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/80 | 分類號(hào)： | C04B35/80;C04B35/565;G21D1/00;C04B35/64;C04B35/52;C04B35/628 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 纖維 增強(qiáng) 碳化硅 構(gòu)件 制造 方法 核反應(yīng)堆 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其是筒形狀的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其具有：
在碳化硅的基體中使碳化硅的長(zhǎng)纖維復(fù)合化而成的第1復(fù)合材料層；和
在碳化硅的基體中使碳的長(zhǎng)纖維復(fù)合化而成的第2復(fù)合材料層，
其中，將所述第1復(fù)合材料層與所述第2復(fù)合材料層進(jìn)行層疊，
所述長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件進(jìn)一步具有中間層，其介入于所述第1復(fù)合材料層與所述第2復(fù)合材料層之間，
所述中間層由選自碳化鈦鋁、碳化釩鋁、碳化鉻鋁、碳化鈮鋁、碳化鉭鋁、碳化鈦硅中的單一材料所形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其中，所述第1復(fù)合材料層的厚度為0.2mm～5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其中，所述第2復(fù)合材料層的厚度為0.2mm～2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其中，所述中間層的結(jié)晶形態(tài)為六方晶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其中，所述中間層的厚度為0.01mm～0.2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，
其具有涂覆材料層，所述涂覆材料層形成于所述第1復(fù)合材料層與所述第2復(fù)合材料層中的至少一者的表面，
所述涂覆材料層由選自碳、碳化鈦、氮化鉻、氮化鉻鋁、硅酸釔、硅酸鐿、硅酸鈧、鋯合金中的單一材料所形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件，其中，所述涂覆材料層的厚度為0.05mm～0.5mm。
8.一種長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件的制造方法，其是制造將第1復(fù)合材料層與第2復(fù)合材料層層疊而成的筒形狀的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件的制造方法，其具有：
通過(guò)在碳化硅的基體中使碳化硅的長(zhǎng)纖維復(fù)合化來(lái)形成所述第1復(fù)合材料層的工序；和
通過(guò)在碳化硅的基體中使碳的長(zhǎng)纖維復(fù)合化來(lái)形成所述第2復(fù)合材料層的工序，
其中，所述第1復(fù)合材料層的形成和所述第2復(fù)合材料層的形成采用化學(xué)氣相蒸鍍法和化學(xué)氣相滲透法中的至少一者來(lái)進(jìn)行，
所述制造方法進(jìn)一步具有形成介入于所述第1復(fù)合材料層與所述第2復(fù)合材料層之間的中間層的工序，
所述中間層由選自碳化鈦鋁、碳化釩鋁、碳化鉻鋁、碳化鈮鋁、碳化鉭鋁、碳化鈦硅中的單一材料來(lái)形成，
所述中間層的形成采用化學(xué)氣相蒸鍍法和化學(xué)氣相滲透法中的至少一者來(lái)進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件的制造方法，其進(jìn)一步具有在所述第1復(fù)合材料層和所述第2復(fù)合材料層中的至少一者的表面形成涂覆材料層的工序，
所述涂覆材料層由選自碳、碳化鈦、氮化鉻、氮化鉻鋁、硅酸釔、硅酸鐿、硅酸鈧、鋯合金中的單一材料來(lái)形成，
所述涂覆材料層的形成采用化學(xué)氣相蒸鍍法和化學(xué)氣相滲透法中的至少一者來(lái)進(jìn)行。
10.一種核反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)構(gòu)件，其由權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的長(zhǎng)纖維增強(qiáng)碳化硅構(gòu)件形成。
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