[發明專利]一種低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

在審

• 申請號: 201810148716.4
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108191259A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 黃麗莎;顧海波
• 申請（專利權）人: 江蘇奧藍工程玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

1.一種低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基片和鍍膜層，所述鍍膜層設于玻璃基片上，所述鍍膜層依次由第一氮化硅層、第一氧化鋅鋁層、第一金屬鎳鉻層、金屬銀層、第二金屬鎳鉻層、第二氧化鋅鋁層和第二氮化硅層組成，所述第一氮化硅層的厚度大于等于第二氮化硅層的厚度，所述第一氧化鋅鋁層的厚度小于等于第二氧化鋅鋁層的厚度，所述第一金屬鎳鉻層的厚度大于等于第二金屬鎳鉻層的厚度。

2.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一氮化硅層的厚度大于第二氮化硅層的厚度，所述第一氧化鋅鋁層的厚度小于第二氧化鋅鋁層的厚度，所述第一金屬鎳鉻層的厚度大于第二金屬鎳鉻層的厚度。

3.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一氮化硅層的厚度與第二氮化硅層的厚度相同，所述第一氧化鋅鋁層的厚度與第二氧化鋅鋁層的厚度相同，所述第一金屬鎳鉻層的厚度與第二金屬鎳鉻層的厚度相同。

4.根據權利要求3所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片的厚度為5-10mm。

5.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一氮化硅層的厚度為40-50nm，所述第二氮化硅層的厚度35-40nm，所述第一氧化鋅鋁層的厚度為15-22nm，所述第二氧化鋅鋁層的厚度為23-30nm，所述第一金屬鎳鉻層的厚度為2-3nm，所述第二金屬鎳鉻層的厚度為0.5-2nm。

6.根據權利要求5所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一氮化硅層的厚度為45nm，所述第二氮化硅層的厚度40nm，所述第一氧化鋅鋁層的厚度為20nm，所述第二氧化鋅鋁層的厚度為25nm，所述第一金屬鎳鉻層的厚度為2nm，所述第二金屬鎳鉻層的厚度為1nm。

7.根據權利要求5所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一氮化硅層的厚度為40nm，所述第二氮化硅層的厚度40nm，所述第一氧化鋅鋁層的厚度為20nm，所述第二氧化鋅鋁層的厚度為25nm，所述第一金屬鎳鉻層的厚度為2nm，所述第二金屬鎳鉻層的厚度為2nm。

8.根據權利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述金屬銀層的厚度為10-20nm。

9.一種低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、選擇5-10mm厚度的玻璃基片，按預設尺寸切割成玻璃片，用清洗機對玻璃片進行清洗；

S2、將高真空磁控濺射鍍膜設備的基礎真空設置為10^-3Pa，線速度設置為2-4m/min；

S3、將玻璃基片送入鍍膜室進行鍍膜，設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為100-120KW，在玻璃基片上濺射厚度為40-50nm的第一氮化硅層；

S4、設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為20-24KW，在玻璃基片上濺射厚度為15-22nm的第一氧化鋅鋁層；

S5、設置第三真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2-3KW，在玻璃基片上濺射厚度為2-3nm的第一金屬鎳鉻層；

S6、設置第四真空磁控濺射鍍膜設備的功率為4-4.5KW，在玻璃基片上濺射厚度為10-20nm的金屬銀層；

S7、設置第五真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2-3KW，在玻璃基片上濺射厚度為0.5-2nm的第二金屬鎳鉻層；

S8、設置第六高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為20-24KW，在玻璃基片上濺射厚度為23-30nm的第二氧化鋅鋁層；

S9、設置第七高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為100-120KW，在玻璃基片上濺射厚度為35-40nm的第二氮化硅層；即得低輻射鍍膜玻璃。

10.根據權利要求9所述的低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述S3中第一氮化硅層的厚度為45nm，所述S4中第一氧化鋅鋁層的厚度為20nm，所述S5中第一金屬鎳鉻層的厚度為2nm，所述S7中第二金屬鎳鉻層的厚度為1nm，所述S8中第二氧化鋅鋁層的厚度為25nm，所述S9中第二氮化硅層的厚度40nm。