[發(fā)明專利]一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

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• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108439823A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃麗莎;顧海波
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇奧藍(lán)工程玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

本發(fā)明公開了一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍膜層，鍍膜層設(shè)于玻璃基片上，鍍膜層依次由第一氮化硅層、第一氧化鋅鋁層、第一金屬鎳鉻層、金屬銀層、第二金屬鎳鉻層、第二氧化鋅鋁層和第二氮化硅層組成，第一氮化硅層的厚度與第二氮化硅層的厚度相同，第一氧化鋅鋁層的厚度與第二氧化鋅鋁層的厚度相同，第一金屬鎳鉻層的厚度與第二金屬鎳鉻層的厚度相同。本發(fā)明鍍膜層沉積性好，鍍膜層致密、厚度適中，平整度和硬度高，機(jī)械強(qiáng)度和耐化學(xué)侵蝕能力較高，輻射率低，不易劃傷、擦傷，膜層在鋼化爐中進(jìn)行高溫?zé)崽幚頃r而不受損壞，清洗后抗氧化性穩(wěn)定，能夠保持原有性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于玻璃及其制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。

背景技術(shù)

低輻射鍍膜玻璃簡稱低輻射玻璃或LOW-E(Low Emissivity Glass)玻璃，是在玻璃表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬或其他化合物組成的膜系產(chǎn)品，因其所鍍的膜層具有極低的表面輻射率而得名。普通玻璃的表面輻射率在0.84左右，低輻射玻璃的表面輻射率在0.25以下；它對波長范圍4.5-25μm的遠(yuǎn)紅外線有較高的反射比，具有良好的阻隔熱輻射透過的作用；在夏季可以阻隔物體受太陽照射后發(fā)出的二次輻射熱，同樣冬季可以減少室內(nèi)的熱量向外流失，從而達(dá)到隔熱保溫節(jié)能降耗的目的。

當(dāng)前中國LOW-E玻璃使用率僅為8％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于發(fā)達(dá)國家。現(xiàn)有技術(shù)中的低輻射鍍膜玻璃，其金屬保護(hù)層很薄，膜層的機(jī)械強(qiáng)度和耐化學(xué)侵蝕能力較差，易劃傷和擦傷，清洗后抗氧化性不穩(wěn)定；其次，金屬銀膜層沉積性較差，輻射率僅為達(dá)標(biāo)水平。

因此，有必要設(shè)計(jì)一種鍍膜層沉積性好，輻射率低，厚度適中，機(jī)械強(qiáng)度和耐化學(xué)侵蝕能力較高，不易劃傷、擦傷，清洗后抗氧化性穩(wěn)定的可鋼化低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種金屬保護(hù)層沉積性好，輻射率低，厚度適中，機(jī)械強(qiáng)度和耐化學(xué)侵蝕能力較高，不易劃傷、擦傷，清洗后抗氧化性穩(wěn)定的可鋼化低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開了一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍膜層，所述鍍膜層設(shè)于玻璃基片上，所述鍍膜層依次由第一氮化硅層、第一氧化鋅鋁層、第一金屬鎳鉻層、金屬銀層、第二金屬鎳鉻層、第二氧化鋅鋁層和第二氮化硅層組成，所述第一氮化硅層的厚度與第二氮化硅層的厚度相同，所述第一氧化鋅鋁層的厚度與第二氧化鋅鋁層的厚度相同，所述第一金屬鎳鉻層的厚度與第二金屬鎳鉻層的厚度相同。

進(jìn)一步地，所述玻璃基片的厚度為5-10mm。

優(yōu)選地，所述玻璃基片的厚度為8mm。

進(jìn)一步地，所述第一氮化硅層的厚度為40-50nm，所述第一氧化鋅鋁層的厚度為15-22nm，所述第一金屬鎳鉻層的厚度為0.5-2nm。

優(yōu)選地，所述第一氮化硅層的厚度為45nm，所述第一氧化鋅鋁層的厚度為20nm，所述第一金屬鎳鉻層的厚度為1nm。

進(jìn)一步地，所述金屬銀層的厚度為10-20nm。

優(yōu)選地，所述金屬銀層的厚度為14nm。

相應(yīng)地，本發(fā)明還公開了一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括如下步驟：

S1、選擇5-10mm厚度的玻璃基片，按預(yù)設(shè)尺寸切割成玻璃片，用清洗機(jī)對玻璃片進(jìn)行清洗；

S2、將高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)真空設(shè)置為10^-3Pa，線速度設(shè)置為2-4m/min；

S3、將玻璃基片送入鍍膜室進(jìn)行鍍膜，設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為100-120KW，在玻璃基片上濺射厚度為40-50nm的第一氮化硅層；