[發明專利]創建氣隙的方法

在審

• 申請號: 201810148464.5
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108493152A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 帕特里克·A·范克利蒙布特;薩沙撒耶·瓦拉達拉簡;巴特·J·范施拉芬迪克
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種處理半導體襯底的方法，所述方法包括：

(a)提供具有暴露的SnO₂層的半導體襯底；

(b)在低于約100℃的溫度下蝕刻所述SnO₂層，其中所述蝕刻包括將所述半導體襯底暴露于在包含至少約50％的H₂的工藝氣體中形成的等離子體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在(a)中提供的所述襯底還包含從由SiO₂、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO和SiCN組成的組中選擇的暴露的第二材料，并且其中(b)包括相對于所述第二材料以至少約10的蝕刻選擇性蝕刻SnO₂。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在(a)中提供的所述襯底進一步包含從由SiO₂、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO和SiCN組成的組中選擇的暴露的第二材料，并且其中(b)包括以相對于所述第二材料以至少約80的蝕刻選擇性蝕刻SnO₂。

4.根據權利要求1所述的方法，其中(b)中的所述蝕刻包括使選自由SiO₂、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO和SiCN組成的組中的第二材料暴露，并且其中(b)還包括在所述第二材料已經暴露之后相對于所述第二材料以至少約10的蝕刻選擇性蝕刻SnO₂。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體包含至少約80％的H₂。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體基本上由H₂組成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體基本上由H₂和惰性氣體組成。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體還包含碳氫化合物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體還包含Cl₂。

10.根據權利要求1所述的方法，其中(b)包括在不對所述襯底使用外部偏置的情況下形成等離子體。