[發(fā)明專利]壓電裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810147707.3
• 申請(qǐng)日: 2018-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN108462478A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洼田正積;渡辺善弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電波工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/17
• 分類號(hào): H03H9/17;H03H9/13
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發(fā)明提供一種壓電裝置，具有適于抑制無用振動(dòng)的構(gòu)造。壓電裝置具備：壓電基板、設(shè)于所述壓電基板的第一主面的第一激振電極及第一引出電極、設(shè)于所述壓電基板的第二主面的第二激振電極及第二引出電極。進(jìn)而，壓電裝置在第一主面的與第二引出電極相向的區(qū)域中具備電位與第二激振電極相同的第一無用振動(dòng)抑制電極，在第二主面的與第一引出電極相向的區(qū)域中具備電位與第一激振電極相同的第二無用振動(dòng)抑制電極。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種以厚度切變振動(dòng)模式(thickness-shear vibration mode)振動(dòng)的壓電振子、壓電振蕩器等的壓電裝置(piezoelectric device)。

背景技術(shù)

各種電子設(shè)備中，為了選擇或控制頻率等，而多使用晶體振子或晶體振蕩器等的壓電裝置。具代表的壓電裝置中，有利用厚度切變振動(dòng)的壓電裝置。若以晶體振子而言，則為AT切割晶體振子及SC切割晶體振子所代表的雙旋轉(zhuǎn)切割晶體振子。

使用厚度切變振動(dòng)的壓電裝置中，存在主振動(dòng)、和除此以外的振動(dòng)即無用振動(dòng)，當(dāng)兩者結(jié)合時(shí)，壓電裝置的特性變差。作為抑制無用振動(dòng)的技術(shù)，例如專利文獻(xiàn)1的現(xiàn)有技術(shù)欄中公開了以下技術(shù)：在晶體片的主面上且未形成激振電極的區(qū)域中，涂布接著劑并進(jìn)行加重，由此抑制無用振動(dòng)。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2003-309446

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明所要解決的問題]

另一方面，對(duì)于壓電裝置而言，特性改善的要求日益提高。例如，對(duì)于高精度的溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器(Temperature Compensate crystal Oscillator，TCXO)而言，有以下的要求：測(cè)定晶體振子自身的頻率溫度特性，并以高次函數(shù)、例如4次～7次等的函數(shù)將其溫度特性近似，依其近似式補(bǔ)償頻率，以使自TCXO的輸出的溫度特性盡可能平坦。為了滿足這種要求，理想的是，晶體振子自身的與頻率溫度特性有關(guān)的近似曲線的相關(guān)系數(shù)成為1。然而，實(shí)際上大多數(shù)溫度下會(huì)產(chǎn)生所謂頻率跳變(frequency dip)、即頻率偏離近似曲線的現(xiàn)象。針對(duì)高精度TCXO所利用的晶體振子的頻率溫度特性，雖然所述理想狀態(tài)不可能實(shí)現(xiàn)，但也期望在使用預(yù)定的環(huán)境溫度范圍、例如-40℃～+85℃的范圍內(nèi)，所述頻率跳變?yōu)椤?.2ppm以內(nèi)，更優(yōu)選±0.15ppm以內(nèi)。

針對(duì)這種需求，專利文獻(xiàn)1的方法中，無法忽視涂布接著劑的精度偏差，可能反而導(dǎo)致壓電裝置的特性變差。考慮到壓電裝置小型化的日益進(jìn)步，期望出現(xiàn)可應(yīng)對(duì)所述需求的技術(shù)。

本申請(qǐng)是鑒于這些方面而成，因此，本申請(qǐng)的目的在于提供一種具有適于抑制無用振動(dòng)的構(gòu)造的壓電裝置。

[解決問題的技術(shù)手段]

為了達(dá)成所述目的，本申請(qǐng)第一方面的壓電裝置具備壓電基板、設(shè)于所述壓電基板的第一主面的第一激振電極及從所述第一激振電極引出到所述壓電基板的其中一端的第一引出電極、設(shè)于所述壓電基板的與所述第一主面相向的第二主面的第二激振電極及從所述第二激振電極引出到所述壓電基板的另一端的第二引出電極、以及收容所述壓電基板的容器，且所述壓電裝置以厚度切變振動(dòng)模式振動(dòng)，并且，在所述壓電裝置中：

在所述第一主面的與所述第二引出電極相向的區(qū)域上、且以距離d1遠(yuǎn)離所述第一激振電極的區(qū)域中，具有：電位與所述第二激振電極相同的第一無用振動(dòng)抑制電極，和/或，

在所述第二主面的與所述第一引出電極相向的區(qū)域上、且以距離d2遠(yuǎn)離所述第二激振電極的區(qū)域中，具有：電位與所述第一激振電極相同的第二無用振動(dòng)抑制電極，其中，在具備第一無用振動(dòng)抑制電極及第二無用振動(dòng)抑制電極的雙方的情況下，所述距離d1、所述距離d2可相同也可不同。