[發明專利]一種太陽能級多晶硅片表面制絨方法在審
| 申請號： | 201810145887.1 | 申請日： | 2018-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN108470795A | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發明（設計）人： | 丁一;余剛;閆永斌 | 申請（專利權）人： | 鎮江仁德新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳國強 |
| 地址： | 212200 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能級多晶硅 酸洗溶液 去離子水 清洗 表面制絨 混合溶液 吹干 配制 穿過 腐蝕 強堿溶液 陷光性能 壓縮氣體 多晶硅 酸溶液 凹坑 絨面 沾附 | ||
1.一種太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟A，酸洗溶液配制：配制含有HNO3、HF和H2SiF6的酸洗溶液；
步驟B，酸腐：將太陽能級多晶硅片穿過酸洗溶液后，采用去離子水清洗沾附在太陽能級多晶硅片表面的酸洗溶液；
步驟C，堿腐：將太陽能級多晶硅片穿過強堿溶液，進行堿腐，然后采用去離子水進行清洗；
步驟D，HF和HCl混合溶液腐蝕：采用HF和HCl的混合溶液進行酸腐后，去離子水清洗；
步驟E，吹干：采用壓縮氣體將步驟D中的太陽能級多晶硅片表面的水分吹干。
2.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟A中，HNO3、HF和H2SiF6的質量比為450-490:60-100:1-5；酸洗溶液的溶劑為純水，純水的質量含量為30-40％。
3.根據權利要求2所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟A中，HNO3、HF和H2SiF6的質量比為470:80:2。
4.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟A中，酸洗溶液的溫度為6-9℃。
5.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟B中，太陽能級多晶硅片以1-1.5m/min的速度穿過酸洗溶液。
6.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟C中，太陽能級多晶硅片以1-1.5m/min的速度穿過強堿溶液；強堿溶液的pH值為3-4。
7.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟D中，HCl和HF質量比為10:1-2:1；混合溶液的溶劑為純水，純水的質量含量為70-95％。
8.根據權利要求7所述的太陽能級多晶硅片表面制絨方法，其特征在于：所述步驟D中，HCl和HF質量比為5：1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
