[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201810145738.5
• 申請日: 2018-02-12
• 公開（公告）號: CN110164768B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有柵極結構；

在所述柵極結構兩側的基底內分別形成開口；

在所述開口內進行表面處理，在至少部分所述開口的內壁表面形成擴散區，所述擴散區內有空隙；

在所述擴散區上形成填充所述開口的外延層，所述外延層內具有源漏離子；

形成所述擴散區之前形成種子層，所述種子層內摻雜有所述源漏離子。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述擴散區的厚度為：5納米～15納米。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述開口和種子層的形成方法包括：在所述柵極結構兩側的基底內分別形成初始開口；在所述初始開口的側壁和底部表面形成種子層，使所述初始開口形成開口。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成擴散區之后，形成外延層之前，在所述開口的側壁和底部表面形成所述種子層。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述擴散區位于所述開口的底部。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述擴散區位于所述開口的側壁和底部。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，晶體管為PMOS晶體管時，所述外延層的材料包括硅鍺，所述源漏離子為P型離子。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述表面處理工藝包括第一離子注入工藝。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝的參數包括：注入離子包括硅，注入能量為3千電子伏～15千電子伏，注入劑量為1e13原子數/平方厘米～1e15原子數/平方厘米，注入角度為0度～15度。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，晶體管為NMOS晶體管時，所述外延層的材料包括碳化硅，所述源漏離子為N型離子。