[發(fā)明專(zhuān)利]基于LSPR的多通道微流控傳感芯片及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810145027.8
• 申請(qǐng)日: 2018-02-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108380249A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂曉慶;耿照新;裴為華;陳弘達(dá)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類(lèi)號(hào): B01L3/00
• 分類(lèi)號(hào): B01L3/00
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種基于LSPR的多通道微流控傳感芯片的制作方法，包括：

將多孔膠片版貼在轉(zhuǎn)移有雙通AAO膜的襯底上，然后生長(zhǎng)金膜；

依次揭掉多孔膠片版、剝離雙通AAO膜，在襯底上得到與多孔膠片版匹配的包含金納米顆粒陣列的傳感單元陣列；

將帶有傳感單元陣列的襯底和與之匹配的多通道PDMS微流控芯片鍵合；以及

修飾傳感單元陣列中的金納米顆粒，偶聯(lián)檢測(cè)抗體，完成多通道微流控傳感芯片的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述雙通AAO膜上具有若干呈陣列分布的納米孔，所述金納米顆粒陣列中金納米顆粒的分布與雙通AAO膜上納米孔的分布一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中：

所述納米孔的直徑介于50nm-95nm之間；和/或

所述納米孔陣列的周期介于65nm-125nm之間；和/或

所述雙通AAO膜的膜厚介于100nm-130nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述多通道PDMS微流控芯片中具有若干微流通道，多孔膠片版中具有若干通孔，微流通道的個(gè)數(shù)、位置、以及大小與通孔的個(gè)數(shù)、位置、以及大小一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其中，所述修飾傳感單元陣列中的金納米顆粒，偶聯(lián)檢測(cè)抗體，包括：

在微流通道中通入可與金表面通過(guò)金硫鍵結(jié)合的溶液；

用EDC/NHS混合液活化羧基，產(chǎn)生可與抗體的氨基結(jié)合的羧基；以及

通入檢測(cè)抗體，檢測(cè)抗體和產(chǎn)生的羧基通過(guò)羧基和氨基的縮合反應(yīng)而被修飾在傳感單元陣列中的金納米顆粒上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中：

所述金膜的生長(zhǎng)方式包括：電子束蒸發(fā)或者磁控濺射；和/或

所述金膜的厚度介于20nm-60nm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，進(jìn)行所述將帶有傳感單元陣列的襯底和與之匹配的多通道PDMS微流控芯片鍵合的步驟之前，還包括：

鍵合前先對(duì)多通道PDMS微流控芯片打孔，在多通道PDMS微流控芯片中的每個(gè)微流通道上設(shè)置有微流通道入口和微流通道出口，保證檢測(cè)液體在微流通道的順利出入。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述將帶有傳感單元陣列的襯底和與之匹配的多通道PDMS微流控芯片鍵合的方式有：采用氧等離子體轟擊或采用電暈處理器處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，得到所述轉(zhuǎn)移有雙通AAO膜的襯底的方法，包括：

把雙通AAO膜在丙酮中浸泡，去除其支撐基底，再用鑷子把潔凈襯底浸入丙酮溶液中，然后使雙通AAO膜在襯底從溶液中提起的過(guò)程中緊貼襯底，從而被轉(zhuǎn)移在襯底上。

10.一種基于LSPR的多通道微流控傳感芯片，由權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的制作方法制得。