[發(fā)明專利]基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810144308.1
• 申請(qǐng)日: 2015-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN108198774A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 八木胡桃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 斯克林集團(tuán)公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有旋轉(zhuǎn)卡盤、遮斷構(gòu)件、上非活性氣體供給單元、杯和排氣單元，

所述旋轉(zhuǎn)卡盤具有：

圓板狀的旋轉(zhuǎn)基座，具有配置在基板的下方的圓形的上表面和外徑大于基板的外徑的外周面，

多個(gè)卡盤銷，以基板的下表面和所述旋轉(zhuǎn)基座的所述上表面在上下方向上隔開間隔相向的方式將基板保持為水平，

旋轉(zhuǎn)馬達(dá)，使所述旋轉(zhuǎn)基座以及多個(gè)卡盤銷圍繞通過(guò)由所述多個(gè)卡盤銷保持的基板的中央部的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；

所述遮斷構(gòu)件包括圓板部和圓筒部，該圓板部具有配置在由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的基板的上方的相向面，該圓筒部具有圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸線包圍由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的基板的內(nèi)周面，所述內(nèi)周面的下端配置在所述旋轉(zhuǎn)基座的周圍，從所述內(nèi)周面的下端到所述旋轉(zhuǎn)基座的所述外周面的徑向的距離在從由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的基板的上表面到所述相向面的鉛垂方向的距離以上；

所述上非活性氣體供給單元從在所述遮斷構(gòu)件的所述相向面開口的向下噴出口向下方噴出非活性氣體；

所述杯圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸線包圍所述旋轉(zhuǎn)基座并向上開放；

所述排氣單元將所述杯內(nèi)的氣體向所述杯的外部排出，

所述遮斷構(gòu)件的所述圓筒部配置在環(huán)狀的杯上端部和所述旋轉(zhuǎn)基座之間，該杯上端部是所述杯的上端部。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還具有遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元，該遮斷構(gòu)件旋轉(zhuǎn)單元使所述遮斷構(gòu)件圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸線向與由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的基板相同的方向旋轉(zhuǎn)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述杯上端部使包圍所述旋轉(zhuǎn)軸線的環(huán)狀的間隙形成在所述杯上端部和所述遮斷構(gòu)件之間，

所述杯上端部和所述遮斷構(gòu)件之間的最短距離小于從所述遮斷構(gòu)件的所述內(nèi)周面的下端到所述旋轉(zhuǎn)基座的所述外周面的徑向的距離。

4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述杯上端部和所述遮斷構(gòu)件之間的所述環(huán)狀的間隙具有使向所述杯內(nèi)吸引的氣體流入的環(huán)狀流入口、將流入所述環(huán)狀流入口的氣體向所述杯的內(nèi)部排出的環(huán)狀流出口和從所述環(huán)狀流入口延伸至所述環(huán)狀流出口的環(huán)狀流路，

所述環(huán)狀流路從所述環(huán)狀流出口向上方延伸。

5.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述杯上端部和所述遮斷構(gòu)件之間的所述環(huán)狀的間隙具有使向所述杯內(nèi)吸引的氣體流入的環(huán)狀流入口、將流入所述環(huán)狀流入口的氣體向所述杯的內(nèi)部排出的環(huán)狀流出口和從所述環(huán)狀流入口延伸到所述環(huán)狀流出口的環(huán)狀流路，

所述環(huán)狀流路具有截面呈L字狀的角部。

6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮斷構(gòu)件具有比所述圓筒部的下端靠外側(cè)的環(huán)狀的伸出部；

所述杯上端部在徑向上隔開間隔圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸線包圍所述圓筒部，并且以在上下方向上隔開間隔與所述伸出部相向的方式配置在所述伸出部的下方。

7.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮斷構(gòu)件的所述內(nèi)周面具有從所述遮斷構(gòu)件的所述相向面向斜下外側(cè)延伸的環(huán)狀的內(nèi)傾斜部。

8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮斷構(gòu)件的所述環(huán)狀的內(nèi)傾斜部和所述旋轉(zhuǎn)基座的上表面的外周端之間的徑向的距離，在從由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的基板的上表面到所述遮斷構(gòu)件的所述相向面的鉛垂方向的距離以上。

9.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮斷構(gòu)件的所述環(huán)狀的內(nèi)傾斜部具有相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸線的傾斜角連續(xù)地變化的圓弧狀的截面。

10.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮斷構(gòu)件的所述圓筒部包括設(shè)置有沿鉛垂方向延伸的環(huán)狀的鉛垂部的外周面。